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。不难看出DRAM的方法那就是所讲的有损爬：爬时只要电容有电，便会花销电容中的电； 只要电容未有电，输入端的残余电荷也就会注入电容。所以，只要再三爬DRAM，阳江卡U盘存储的电量会趋于中间值，事不明显。就现在来说U盘厂晓得不要加大元件定时革新电容，拉回正合的老少电平。

DRAM所讲的“活动”，就指的是此种革新的晓得。