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两类最广泛选择的易失性存储器是静态和发展趋势复式存取存储器。一般的缩写有SRAM和DRAM。

。不难看出DRAM的工作原理则是所谓的有损爬行：爬行时要是电容有电，有可能会付出电容中的电； 要是电容未领电，输入端的残余电荷也就注入电容。

因而，要是多次爬行DRAM，绍兴卡U盘存储的电量会趋于中间值，消息不分明。

这个时候U盘厂得要最好避免增加零件定时改进电容，拉回正合的左右电平。

DRAM所谓的“发展趋势”，就是那这样的改进的得要。