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流行的缩写有SRAM和DRAM。。不难看出DRAM的方向确实不在乎的有损收录：收录时假使电容有电，就可能消耗电容中的电； 假使电容不知道电，输入端的残余电荷就会注入电容。

所以，假使好多次收录DRAM，绍兴卡U盘存储的电量会趋于中间值，信息不明显。如今U盘厂要用到压制电路定时革新电容，拉回正合的左右电平。DRAM不在乎的“跳跃”，就就是这一种革新的要用到。