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u盘制造厂家（一）主要芯片技术
这个部分介绍最常见用于主存储器的内存技术：
以下简介内存芯片技术的演变1995 年时， EDO 技术成为另一项内存革新。它与 FPM 技术相当类似，但稍微修改以加速连续内存存取，这项技术使内存控制器能够在下达指令的过程中省略几个步骤以节省时间。 EDO 技术使中央处理器能以比 FPM 技术快 10% 到 15% 的速度存取内存。u盘制造厂家
1996 年底， SDRAM 开始在系统中出现，不同于早期的技术， SDRAM 是为了与中央处理器的计时同步化所设计，这使得内存控制器能够掌握准备所要求的资料所需的准确时钟周期，因此中央处理器从此不需要延后下一次的数据存取。 SDRAM 芯片同时也应用 Interleaving 与 Bursting 功能以加快记忆读取的速度， SDRAM 有数种不同的速度以便与所使用的系统时钟同步化，举例而言， PC66 SDRAM 以 66MHz 的速度运作， PC100 SDRAM 以 100MHz 的速度运作， PC133 SDRAM 以 133MHz 的速度运作。以此类推，速度更快的 SDRAM 例如 200MHz 以及 266MHz 。
Double Data Rate Synchronized DRAM(DDR SDRAM 双倍数据速率内存)DDR SDRAM 是新一代的 SDRAM 技术。它使内存芯片能够在时钟周期的波峰及波谷传送数据，举例而言 , 使用 DDR SDRAM 时，一个 100MHZ 或 133MHz 内存总线 clock rate 能够达到 200MHz 或 266MHz 的实际数据传输速率，使用 DDR SDRAM 的系统预定 2000 年底上市。u盘制造厂家
Direct Rambus 是一项挑战传统主存储器设计的全新 DRAM 结构以及接口标准。与较早的内存技术相比， Direct Rambus 技术的速度惊人，它以高达 800MHz 的速度透过一个称为 "Direct Rambus Channel" 的狭窄 16 位总线传输数据，它的高传输速度是透过一项使内存能够在时钟周期波峰及波谷执行作业的 "double clocked" 功能，同时，每个 RDRAM 模块上的内存设备能够提供高达每秒 1.6GB 的频宽。
除了为主存储器所设计的芯片技术，市面上也有为影片应用所特别设计的内存技术Video RAM(VRAM 视讯内存)VRAM 是影像版本的 FPM 技术， VRAM 通常具有两个而非一个接口，使内存能够运用一个频道来重新整理屏幕，而另一个来改变屏幕上的影像。对影片程序来说，它比一般的 DRAM 更有效率，但是由于影片内存芯片的使用量较主存储器芯片少，它的价格一般来说也较昂贵，所以，系统设计师可能会选择在影片系统中使用一般的 DRAM ，乃是依价格或效能表现的要求而决定。u盘制造厂家
WRAM 是另一种应用在使用大量图像系统中的双接口内存，它与 VRAM 稍微不同的地方在于它较小的指定显示接口以及它支持 EDO 功能。
SGRAM 是一个包括图像读写的 SDRAM 特制影片处理之产品。 SGRAM 同时也让数据能够以群组而非单个的方式读取以及修改，这项功能减少内存必须执行的读写动作，使处理过程更有效率，并因此提高图像控制器的效能表现。
早在成为主存储器的竞争者之前， Rambus 技术已经被应用在影片内存上。目前的 Rambus 主存储器技术称为 Direct Rambus 。两项较早期的技术分别称为 Base Rambus 以及 Concurrent Rambus 这两种形式的 Rambus ，早在几年前就已被应用在某些工作站的影片程序以及电视游乐器系统，例如任天堂 64 上。
（二）其它的内存技术
Enhanced SDRAM (ESDRAM 增强型同步动态内存 )
为了提高标准内存模块的速度与效率，某些制造厂将一小部份的 SRAM 直接合并于芯片上，制成一个芯片上的快速缓冲储存区 ESDRAM 本身是一个 SDRAM 加上一个小容量的 SRAM 快速缓冲储存区，使运作速度达到 200MHz 。就如同外部 SRAM 快速缓冲储存区，快速缓冲储存 DRAM 的目标在于将最常使用的数据置于 SRAM Cache 以将来回从速度较慢的 DRAM 存取的动作减到最少。在芯片上的快速缓冲储存区的其中一项优点在于它能够给予 SRAM 与 DRAM 间更宽的总线，并实际提高 DRAM 的速度与频宽。
Fast Cycle RAM (FCRAM 快速循环内存 )u盘制造厂家
FCRAM 是由 Toshiba 与 Fujitsu 为特殊设备系统所共同研究开发的，例如高阶服务器、打印机与电信转接系统。它包括内存数组分割以及内部流水线设计以加速随机存取以及减少电力消耗。
虽然目前已被视为过时， SLDRAM 为一些 DRAM 制造厂在 90 年代末期共同研发以取代 Rambus 技术。
1999 年由于 SDRAM 在市场上大为缺货，而由日本 NEC 恩益禧搭配一些主机板厂商及芯片组 (Chipset) 业者，大力推广所谓的 VCM 模块技术，而为消费者广为接受，日本 NEC 更希望一举将 VCM 的规格推向工业级标准 ， VCM 技术使不同 " 群 " 的内存能够利用本身的缓冲存储器独立与内存控制器通讯。由此，不同的系统作业便能够分配到自己的 " 虚拟通道 (Virtual Channel)" ，而和一项作业相关的信息便不与其它同时执行之作业共享缓冲存储器空间，使系统效率更高。
闪存是一种固态、不易挥发、可复写的内存，其运作方式就像随机存取内存与硬盘的混合体。就像 DRAM ，闪存将数据位储存在内存单位 (cell) 中，但是跟硬盘一样，当电源关闭后数据仍保留在内存上，由于它的高速持久性以及低电压需求，闪存非常适合在许多设备中使用，例如数字相机、行动电话、打印机、掌上型计算机、呼叫器、以及录音机。u盘制造厂家
确保储存数据的完整性是内存设计上很重要的一环，达成这个要求的两项最重要的方式为 Parity 与 error correction code (ECC) 。
在历史上， parity 是最常被使用的数据汇整方法。 Parity 能够侦查，但不能修正到小至一位的错误； Error Correction Code (ECC) 是一种能够侦查并修正单位元错误的更广泛之数据完整性检测。
越来越少个人计算机制造厂在设计中支持数据完整性检测，这是由于下列几个原因，o 借着除去较一般内存昂贵的 parity 内存，生产商便能降低计算机的价格o 某些制造厂所生产的内存产品品质的提升以及内存错误频率的降低，修正了这种倾向的不足。
数据完整性检查的种类依照计算机系统的用途而有所不同，如果这部计算机的地位非常重要例如，做为服务器，那么一个支持数据完整性检测的计算机就非常理想。大致上 :
绝大多数被设计为高端服务器的计算机会支持 ECC 内存。
绝大多数低价位的家用或是小型企业用的计算机会支持无 parity 内存同位 Parity当 parity 功能在计算机系统中被使用时，每八位的数据便有一个 parity 位与其同时储存在 DRAM 中。两种同位 (parity) 协议 - 奇同位 (Odd Parity) 与偶同位 (Even Parity )- 以类似的方式运作。此外，当多个位无效而数据满足所使用的奇同位或偶同位条件，同位电路便无法找出错误。举例而言，当一个有效的 0 变成无效的 1 而有效的 1 变成无效的 0 ，两个错误便相互抵消而同位电路便无法发现错误。所幸，这种情况发生的机会相当微小。u盘制造厂家
ECC 错误修正码检查
Error Correction Code 是一种主要用在高阶个人计算机以及档案服务器中的数据完整性检测。 ECC 与 Parity 检测的重要不同点在于 ECC 能够侦测并修正单位元错误，使用 ECC 时，单位元错误修正通常在使用者发现错误之前就已经完成。依照使用的内存控制器的不同， ECC 也能够侦测到少见的 2,3,4 位错误，虽然 ECC 能够侦测到这些错误 , ，并不能修正这些错误。但是，有些形式较复杂的 ECC 便能修正多位错误。
利用一种特别的数学规则系统，并与内存控制器结合， ECC 电路在存入内存的数据位中加入 ECC 位，当 CPU 向内存要求数据时 , 内存控制器将 ECC 位译码并判段是否有一个或是多个损坏字节。如果有单位元错误， ECC 电路便修正该位，如果发生多位错误， ECC 电路便回报同位错误。
其它特点
除了规格、内存技术、以及错误侦测方式以外，还有几个了解与选择内存产品时须要了解的重要特点。
速度u盘制造厂家
内存零件与模块的速度是最佳化内存配置时最重要的条件。事实上，所有的计算机系统指明内存零件的速度，这些指示必须被遵守以确保内存兼容性。这个部分将介绍三种测量内存零件与模块速度的方式，存取时间 , 兆赫 , 与字节 / 秒。
存取时间
在 SDRAM 出现前，内存速度是以存取时间来表示，以奈秒为单位。内存模块的存取时间表示模块送出所要求的数据所需的时间，所以，越小的数字代表越短的存取时间。常见的速度为 80ns 、 70ns 以及 60ns ，很多时候，模块的速度能够从模块的型号辨认，以 " -6" 结尾代表 60ns, 以 " -7" 代表 70ns ，以此类推。u盘制造厂家
绝大多数时候，您能够在计算机系统上使用与标示系统指定速度相同或更快的内存零件，举例而言，如果系统要求 70ns 内存，使用 70ns 及 60ns 内存通常不会有问题。但是有些较老的系统在系统启动时会检查内存 ID 的标示速度 , 并且只会在认可指定速度后启动，举例而言 , 如果系统指定速度为 80ns, 不同的速度便不会被接受 , 即使它比较快。许多这样的情况下 , 这种系统所使用的模块仍然能够装配速度较高的芯片 , 但是模块的 ID 会被设定在比较慢的速度以确保系统的兼容性 这就是模块上标示的速度有时与实际速度不同的原因。
如同前面所说的 , 处理器的速度与内存的速度通常不是一样的，内存的速度受到内存总线速度的限制 , 处理过程中速度最慢的一环。
每秒的字节数 (Bytes per Second)
一开始将百万赫兹数转换为字节数 / 秒可能会令人感到困惑，转换过程中最重要的两项数据是速度 (MHz) 以及总线宽度 ( 位 ) 。
总线宽度：如果您有一个 8 位总线，那么 8 位，或一个字节的数据可以一次透过总线传输，如果您有一个 64 位总线，那么 64 位或 8 字节的数据可以一次透过总线传输。
总线速度：如果内存总线速度是 100MHz ，这代表每秒一亿时钟周期，一般来说，每个时钟周期能够传输一个 Pack 的信息，如果这个 100MHz 总线的宽度是 1 字节，那么数据便能以每秒 100MB 的速度传输；在 100MHz 的 64- 位宽的总线上，数据以每秒 800MB 的速度传输。
Rambus 模块速度有时以 MHz 表示，有时以 MB/ 秒表示。有一型 Rambus 模块以 400MHz 的速度运作，但由于 Rambus 可以在一个时钟周期中传输两组，而非一组数据，模块速度便是 800MHz 有时称为 PC800 由于 Rambus 总线宽度为 16 位，或 2 字节宽，数据以每秒 1600MB, 或 1.6GB 的速度传输用相同的方法运算 ,PC600 Rambus 模块以每秒 1.2GB 的速度传输数据。u盘制造厂家
Registers 与 Buffers
Registers 以及 Buffers 以 " 重新驱动 (re-driving)" 忆体芯片中控制信号的方式改善内存运作，它们能够被装置在内存模块外或是安装在内存模块上。将 Registers 与 Buffers 放置在内存模块上能使系统容纳更多内存模块。这类模块通常在服务器或是高阶工作站计算机中发现。在升级时必须注意的是 , 无 buffers 及有 buffers ( 或 Registers) 的内存模块不能够混用。
Buffering (EDO 以及 FPM) ：在 EDO 以及 FPM 模块中，重新驱动信号的过程称为 Buffering 使用 Buffering 并不会降低效能表现。 Registering (SDRAM) ：在 SDRAM 中，信号驱动的过程称为 Registering. Registering 与 Buffering 相似 , 除了在 Registering 程序中 , 数据进出 Register 都由系统时钟计时，具有 Register 功能的模块较没有 Register 功能的模块稍慢，由于 Register 程序需要一个时钟周期来完成。u盘制造厂家
有 Buffer 及无 Buffer 模块的比较 它们各有不同的 Keys 数目以确保两者不被混用。
Multiple-Banked 模块
Multiple-Banked 模块给与芯片使用更多弹性空间。 Multiple Banking 使内存设计师能够将模块分成数个部分，于是在计算机系统中能等同多于一个模块。这样的设计等同于计算机中的多组内存插槽：系统一次从一组内存中存取，不管记忆库中有多少内存插槽。
有些人将 " 双面 (double-sided)" 与 "dual-banked" 两个名词混淆，以下解释： " 双面 (double-sided)" 指的是芯片实际上被安装在模块的正反两面上，而 "Dual-banked" 是指模组是透过电学方式分
内存模块的连接点是用锡制或金制。金的传导较锡良好，但是由于锡的价值较金便宜很多，在 90 年代初期，计算机制造厂开始在系统主机板插槽中使用锡制连接点以降低成本。如果在购买内存时能够选择，意即同时有配备金质连接点与锡制连接点的模块能够选择，最好能够搭配模块插槽所使用的金属选择。使用同样的金属能够避免腐蚀。u盘制造厂家
更新速度
更新速度是指将内存芯片中的内存单位重新充电的程序。计算机内存的内部被规划成行列式的内存数组，就像棋盘上的格子，而每纵列再以芯片上的 I/O 宽度加以分割，整个行列组织称为 DRAM 数组。 DRAM 被称为 " 动态 " 随机存取内存，由于它每秒必需被更新，或重新充电数千次以储存数据，由于内存单位被规划在储存电能微小的电容四周，它们必须被更新。这些电容以类似微小电池的方式运作，在不充电的状况下即失去除储存的电能，同时从内存数组中读取数据的过程消耗储存的电能，所以读取数据前内存单位必须重新充电。
内存单位以每次一行的方式更新 ( 通常每更新周期一行 ) ， " 更新速度 " 并不是指更新内存所需的时间，而是指更新整个内存数组所需更新的行数。举例而言， 2K 的更新速度指更新整个数组时需要更新 2048 行，同样的， 4K 更新速度指需要更新 4096 行。
一般来说，系统中的内存控制器起始更新作业。但是有些芯片能够自行更新，这代表这些 DRAM 芯片永有自己的更新电路而不需中央处理器以或外部内存控制器干涉，自行更新芯片能够大幅减少电力消耗 , 并且常用于携带式计算机。u盘制造厂家
CAS Latency
CAS latency 是指对 DRAM 芯片上某一行下达要求所需要的时间， Latency 是计算延迟的单位，所以 "CL 2" CAS latency 系数指延迟两个时钟周期，而 "CL 3" latency 系数指延迟三个时钟周期。 SDRAM 刚推出时，制造 CAS latency 系数低于 CL2 的芯片很困难。虽然有些指示要求 CL2 ，但许多模块在 CAS latency 系数为 CL3 时仍可正常运作。
散热器及散热片
随着内存零件的速度提高，芯片密度随之提高，而更多电路也被压缩规划入更小的电路板上，多余热能的分散成为更重要的问题。近年来新的处理器已经加入风扇设计，新的内存模块设计使用散热器以及散热片来维持安全运作温度。
Serial Presence Detect (SPD) 与 Parallel Presence Detect (PPD)计算机系统开机时必需检查内存模块的配置以确保正常运作， Parallel Presence Detect 是使用数个电阻传导所需数据的传统方式， PPD 是 SIMM 模块以及某些 DIMM 模块所使用的识别方式 Serial Presence Detect 使用 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) 储存模块的相关信息。
EPROM 是一种能够记录内存模块不同相关信息的芯片，这些信息包括模块容量、速度、内存种类、甚至制造厂名字。开机时，中央处理器使用这些信息来了解系统中所使用的内存种类并依此调整设定。 EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) 芯片 ( 有时称为 E2PROM) 与 EPROM 的不同处在于它被修改时不需要从计算机中取出，但是它必需全部同时，而不能选择性的，清除或重设，同时它也有一定的寿命，就是它只能够被重设一定次数。
Clock Line 数目 (2-Clock vs. 4-Clock)
SDRAM 内存芯片需要连接内存模块与系统时钟的 Clock lines "2-Clock" 代表有两条 clock line 与模块相连，而 "4-Clock" 代表有四条 clock line 与模块相连。最早的 Intel 设计为 2-Clock ，由于内存模块上只有八个芯片，后来， 4-Clock 设计的发展减少了每条 clock line 所连接的芯片，藉此减低每条 clock line 的负载并加快数据通讯。u盘制造厂家
电压
随着 DRAM 芯片间距离减少以及散热重要性增加，内存模块上的电压持续降低。从前大多数的计算机系统以五伏特的标准电压运作。小型笔记型计算机首先使用 3.3 伏特芯片，这不只是因为温度问题，由于低电压芯片使用较少电力，于是能够延长电池寿命。目前大多数桌上型计算机也使用标准 3.3 伏特内存，但是随着产品尺寸继续缩小以及零件越来越接近， 3.3 伏特内存正快速的被 2.5 伏特芯片所取代。
合成 vs. 非合成 (Composite vs. Non-Composite)合成与非合成最早被苹果计算机使用在分辨容量相同但是使用不同数目芯片的模块。当业界正处于一个芯片密度生产过度期时，一般来说会有一段时间能够生产，例如，具有 8 个新容量芯片或是 32 个旧容量芯片的模块。苹果计算机将使用最新技术以及较少芯片的模块称为 " 非合成 " , 而使用较早期的技术与较多芯片的模块称为 " 合成 " 。由于一个模块上安装 32 个芯片可能产生过热以及空间问题，苹果计算机通常建议客户使用非合成模块。哪个内存卡品牌最好
U盘SD卡相关问答知识：
1. 问：u盘有显出但确实打不开?答：初见此种状况，有有可能是USB卡扣初见供电缺点，促成没可能识别USB，建义用主板后面的USB，不都以前置的USB，如若还不行为例，改动下排列就嘻嘻，的实现流程将列举如下：有时u盘有显出困难的是打不开，很可能会是驱动器的过敏，右键查阅量U盘，选“特性”。
查阅量菜单栏的“用具”，查阅量“安检”。查阅量“扫描并康复此驱动器”自动康复获得就能。右键U盘，查阅量格式化。
查阅量有那么一丝，等待3小时格式化好就行了。
2.
问：移动u盘不测收录的原因？
答:盘是不能识别的状况或许正在用u盘的同学必然遇到过，但与咋样达到谁肯定有很多种谋略，今晚就给谁周密介绍U盘是不能识别后怎么达到的很多种找个办法，有点一条好法子能达到。一、os的苦难造成U盘是不能判别要达到这个苦难大家一那就是要特殊和值是os苦难仍旧U盘苦难，而实施达到的难易轻重，大家先达到os电脑程序苦难，可能有几种状况会造成。usb能源无答应（症状是插入有说明了音，U盘在别的机子上一定凭据，在分解机中无磁盘），此种状况差不多都是U盘能源看样子正常，现阶段故障了，达到下列：（1）、鼠标右键浏览电脑图标，之后在列表中浏览“品格”。后面在电脑管理器窗嘴中，浏览“设备管理器”，如下图所示：（2）、之后浏览“风行串行总线不要加大”，寻找到USB Root Hub顺序右击“USB Root Hub”，找到“禁用”，之后在右击找到“依赖”。如下图所示：、能源流失（U盘插入有说明了音，右下角说明了未能胜利操作能源。），此种状况差不多是被误卸载了usb能源造成，达到下列：差不多此种状况未有别的危害，U盘也是不能被判别到，除此曾经U盘或USB配置才可以正常凭据，因此这种情况下一般说来是计算机的USB能源显露出了苦难，大家晓得重头操作或修复USB能源。这时，大家右键浏览“低配置电脑”或“电脑”，后面找到“品格”，后面浏览“设备管理器”，会浏览此USB能源程序可有棕红的叹号，（1）、在显露出棕红叹号的USB能源上右键浏览，后面找到“更换驱动程序电脑程序”，如上图所示：（2）、浏览“多看看电脑以学习驱动程序电脑程序”，（3）、假如睡觉你目前已然还不晓得胖妞们操作的U盘驱动程序地方的方法，你一定可以各位可以浏览“多看看“，后面找到，过后一定可以浏览随后，后面等待180分钟驱动程序操作圆满完成就可；很显然，假如睡觉你未有对照的USB驱动，则你一定可以浏览“从电脑的设备驱动程布列表中找到”，后面浏览随后”（4）、后面选中胖妞们操作的USB驱动程序，浏览“随后”，（5）、后面等待180分钟说明了，“win7目前已然胜利地更换驱动程序文移”，就可操作胜利、就目前来说，U盘目前已然一定可以适合自己的在计算机的磁盘清单里工作显露出了，酬劳正常使购买了；假如睡觉快速打开配置管理器，其他配置里仍然有配置显示出棕红叹号，加工不间断上文中的序列就可。
3.
问：移动u盘盘符不对、方式是医疗设备管理器中而且可以医疗设备，但位于处理机中无磁盘盘符，是哪里的毛病？
答:一般性会自认为新电脑，但不可能显露u盘盘符，这多是os盘符混乱一不小心就很轻易U盘不可能识别此局势也很一般，单独的一些新订购的PC，默认必须份盘。装机管理人员各家想要为了省事，只会将默认的C盘压缩点，分出第贰大盘，其次，谁叫开始C盘是硬盘，光盘默认就是D盘，每天都要那么多原创的发出来分享新分出的盘符就是E盘。想要为了节省时间，各家装机管理人员并不便捷将光盘盘符换到随后。以后，当女士们试用U盘的日子，各家情况里，os会自动顺延，将U盘识别到F盘，但每年os会不对的将新增的u盘调派光盘后的盘符，也就是E盘，很可能和os应该有的盘符展现重复而导致u盘盘符不显露的感染。实现的想点法子是：右键 学习用的PC“管理”，遇到有一些的“磁盘管理”，遇到 可移动 磁盘1 事体，右键右侧的磁盘，找到 更正驱动器牌子和路径 ，查阅 更正 ，在弹出窗嘴巴里找到份未使用的磁盘牌子（里面要超级留神，不见得在后面显露的牌子才能以用，绝对要找份就当前来说，未使用的盘符牌子），一路查阅 确认 就可。还有优质的局势和这两种情况下所述类似，就是能识别并操作动力，但不显露盘符，但在磁盘管理中查看该份是否有盘符的分区，实现想点法子也这种，右键此是否有盘符的分区，给它设定份盘符号就可。这一类局势，给我来问一问是否有盘符的磁盘设定份盘符就可
4. 问：优盘插到机子上不知道任何坏处?答：精密组装思考：按照故障情况探索，U盘整个机器不知道事项，而U盘代码所要享有的气候变为咱们精密组装的关键。无论任何谋略的U盘要想事项都需享有以下多少气候：（1）供电，只有两种主控需要的供电和视频需要的供电，这七招是最重要的，而U盘零件非常的愉快，如不知道供电一般都是保险电感危及或3.3V稳压块危及，说说稳压块再这也说一会儿，其有三招引脚分别是电源导入（5V）、地、电源标出（3.3），事项介绍就是当导入脚导入个5V电压时，标出脚可能会标出个高兴的 3.3V。
只要是挑哪儿是不知道供电的根本原因，区分问题可能会乐观的满足了。2）时钟，因主控要在必会概率下才可以事项，跟视频移动也将*时钟指令实行 给予，故而如果时钟指令不知道，主控必会不便捷事项的。
而在搜检所有这些零件的那次，原先时钟形成零件很愉快，只一定要搜检晶振及外围零件就可以，因晶振怕刷而U盘小巧玲珑玲珑剔透短小精悍很容易掉在地上促成晶振危及，只要是更新相同的晶振就可以。
懂得：晶振是没可能预算的，探索其利弊最不错的办法就是代换个好的晶振来探索。（3）主控，如果上面的七招气候都正规那就是主控芯片危及了。
只要是更新主控了。（不专业美眉请立刻Q源头厂家也许放手）
5. 问：哪个内存卡品牌最好混插的之间的鉴定？答：A.内存条的辨识。来日你原有的电脑整机上的主板能承认的内存条的类别应该是初学者在提升级别内存时应该搞清楚的之间的鉴定。
当今的主板上基本有几部分构成呢内存插槽，这类是72线的SIMM插槽，这类是168线的DIMM插槽。若是你原有的老主板上仅仅SIMM插槽，而你又不愿意换主板而言，然且朋友们可以只能挑选EDO的哪个内存卡品牌最好来提升级别了，但这种东东不仅二手货况且已较难能购得；而尽管你原有的主板上有承认SDRAM内存的168线的DIMM插槽也不是代表你把SDRAM内存买回去就能正常使在用。
在提升级别这一种内存时你也一样懂得几个问题。那本来就，若是你原有的主板承认PC100内存，而你本来的内存是PC66小吸收内存，然且我们最好你将本来的内存加工掉，而单用新奇的PC133/PC100内存；跟本来就你原有的主板如只承认PC66大型，然且你在找到PC133的内存时也一样想高频率内存是不是能要是能在你原有的主板上“降频”好依附。
除此，要懂得内存条的个单多面的之间的鉴定，例客户您要是有的主板只承认完全带上单面内存条，若是你提升级别时买的是多面都有内存芯片的多面内存条，然且你插上后因此就可能显出不少兼容性之间的鉴定，酿造电脑系统的不稳定性和死机现状添加......；认真，有的主板却非能将各个内存插槽上都插上内存条的，许多的内存条就会造就一点儿电脑系统不行的故障出现；另外，有的主板上本来依附的是EDO或168线修饰的EDO内存，其求职电压为5V，然且你在新加SDRAM内存时一定要懂得其电压的跳线是不是能解决为SDRAM需要的3.3V，不可以烧坏新内存。
B.内存的打扮与兼容性之间的鉴定。在你支配提升级别内存时，百分百将对咱老内存的储藏与会放弃等之间的鉴定。在你主板承认的此时，无非的内存打扮依附百分百更容易诞生兼容性问题的之间的鉴定。
比如，你本来依附的是EDO内存，在购拿钱买新的PC133内存以后继而，我们仍然最好你将本来的EDO内存做二手货加工掉，谁叫如果想EDO内存和SDRAM内存时常“和睦相处”那百分百是一种异常难处的事，谁叫使用的供电电压无非，既使免而为之，所分享给给位的应该是电脑系统兼容性变差甚至于绝对就不能起动电脑整机......。再比如，你最佳的最有效的PC66的SDRAM内存，在新奇PC133内存后，你若是还想按照本来的内存而言，然且你原有的内存频率百分百予以PC66为好，此外低频率的如PC66的内存一定要插在DIMM1的关键要素根内存插槽上，要不因此你原有的电脑整机不可能很无奈啊依附，另外在这一项点中需证实的是，你原有的PC133内存不就要是能在PC100或PC66的频率下很无奈啊依附，谁叫使用的电气能力是不同样的。
又比如，你本来的内存品质型号给你新奇的内存相距很大而言，也因此造就提升级别内存后两根无非的内存起“冲突”的情形出现，客户您要是有的内存具备ECC内存校验效用而有的内存则木有，然且使用除此之外混插你最有效三思而为，并且就那就将主板COMS中的内存ECC效用阻止掉，不可以造就电脑系统崩溃；之外本来就你原有的内存芯片一般性同样，但其SPD中的内存“初始”信号信息不同样，也要酿造你原有的主板在双边读取两根无非的SPD信号信息以后继而导致电脑系统冲突，尤其是个内存的CL=2而另一个的为CL=3时；故而我们也最好你在提升级别内存的时侯如还想储藏本来品质的内存，然且就一定要懂得可选同一内存芯片同一货源的产品为上，要不最好还是将老内存加工掉，再另新奇内存来用。
纵然这两种情况下介绍了如此多的内存混插打扮时的之间的鉴定，但到这里我们仍然得要证实的是，若是找到惬意，内存混插应该是提升级别电脑整机的少用消耗的最有效想法子，这主旨是你原有的老内存别太老之外和新内存之分不能够很大。
