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希捷SSD工厂3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。

此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND)，而3D NAND，顾名思义，即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房，那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化，意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。下图为三星Planar NAND 发展至 3D NAND (V-NAND) 的示意图。

安装ssd图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)左边二个是 Planar NAND，只是存储单元结构不同，由浮动栅结构 (Floating Gate) 迁移至电荷撷取闪存，即上图中的 2D CTF (Charge Trap Flash)。然后是将 2D CTF 存储单元 3D 化变成 3D CTF 存储单元 (上图的 3D CTF)，最后通过工艺技术提升逐渐往上增加存储单元的层数（Layer ），把存储单元像盖大楼一样越做越多层。

三星的 3D V-NAND 存储单元的层数 (Layer) 由 2009 年的 2-layer 逐渐提升至 24-layer、64-layer，今年已经达到 96-layer。

图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)近几年来国际原厂先后投入 3D NAND 研发。

各家的 3D NAND 存储单元及技术都不相同，也几乎每家公司都已宣布开发出 96 层 3D NAND。安装ssd多层单元 (Multi-Level Cell)一般正常的存储单元，不管是 DRAM、SRAM、FLASH、ROM 等等，都只存储一个比特 (Bit) 的资料 (称为 SLC，Single-Level Cell)。

为能更缩小存储单元尺寸，除了运用工艺持续做小及将存储单元 3D 化外，各厂商也积极思考增加每存储单元能存储的 bit 数目。当一个存储单元可以存储二个 bit 时 (称为 MLC，Multi-Level Cell)，其存储单元尺寸等同于减少一半 ; 存储三个 bit (称为 TLC，Triple-Level Cell)，则尺寸等同于原有的 1/3 ; 四个 bit (称为 QLC，Quad-Level Cell)，则存储单元尺寸只剩原有的 1/4。

安装ssdSLC 存储一个 bit 数据，也就是二个状态 (0，1) ; MLC 存储二个 bit 数据，所以是四个状态 (00，01，10，11) ; TLC 三个 bit，八个状态 (000，001，010，011，100，101，110，111) ; QLC 四个 bit，十六个状态 (0000，0001，…. 1111)，如下图所示。

图片来源 : Micron Official Website (Modified by Author)天下没有白吃的午餐，鱼与熊掌不可兼得，存储单元尺寸降低的代价是设计难度的提高以及性能的降低。为什么会如此？又是一个简单的算数问题。

假设存储单元电压是 1.8V，对 SLC 而言，一个 bit 有二个状态，平均分配 1.8V 电压，每个状态可以分到 0.9V。对 MLC 而言，四个状态平均分配电压，每个状态可以分到 0.45V，以此类推，TLC 每个状态只可以分到 0.225V，而 QLC 更惨，每个状态只可以分到 0.1125V。

在这么小的电压下，这么多的状态以极小的电压区隔，电压区隔越小越难控制，干扰也越复杂，而这些问题都会影响 TLC 或 QLC 闪存的性能、可靠性及稳定性。

安装ssd如上图所示，越往右，存储单元相对尺寸越小，因而成本越低。但其编程/擦除周期 (Program/Erase Cycle，简称 P/E Cycle，也有人称为擦写次数) 会大幅降低，同时读、写及擦除所需的时间也会增加 (性能降低)。擦写次数的降低为这项技术带来相当大的争议，因为擦写次数代表这闪存的寿命长短。如同上图所示，从 SLC 到 QLC，擦写次数由 10 万次降到只有1000次。

原厂采用系统设计来弥补这项缺点。通过系统控制平均分摊每一个区块的擦写次数，故障的区块也会被尚未使用的区块替换，以确保了闪存能持续运行。

即使每个存储单元只有1000次擦写次数，整颗闪存仍然可以从容的应付我们日常使用的需求。当然，这样的结果使得 TLC 或 QLC 只适用于消费者个人使用 (例如 SSD)，它是无法满足 Data Center 之类的企业需求的，因为商用，例如资料处理中心 (Data Processing Center)，的存储设备，其擦写频率是相当相当高的。

安装ssd硅穿孔技术 (TSV，Through Silicon Via)硅穿孔技术其实与 3D NAND 工艺无关，严格来说，它属于一种封装技术。会拿出来讲主要是一方面它可让 3D NAND 闪存更上层楼，容量加大好几倍。另一个原因是因为有些人把它跟 3D NAND 存储单元的 layer 层数混淆了，他们把 32、64 或 96-layer 3D NAND 描述为把 32、64 或 96 个晶粒 (Die) 堆叠在一起，这是很大的误解。

TSV 技术已普遍用于 DRAM及 Flash 产品。以往一个 IC 芯片 (Chip) 只封装一颗晶粒，渐渐地为了降低成本、节省主机板空间及提高性能，多芯片封装 (MCP，Multi-Chip Package) 开始盛行 (如下图左方图示)。

TSV 则是以工艺方式将 IC 基板 (Substrate) 穿孔，填入金属，让上下晶粒直接相导通 (如下图右方图示)，不仅省去像左方图示所显示封装打线 (Bonding)，更能进一步提升 DRAM 或 Flash 单颗芯片的容量、讯号品质、传输性能，以及降低传导杂讯干扰。

安装ssd图片来源 : 3D NAND Flash Memory - Toshiba (Modified by Author)目前各家量产的 3D NAND 芯片大多只以 TSV 堆叠到 8 或 16 层 3D NAND 晶粒 (Die)。

下表范例为东芝的 512GB (Gigabyte)/1TB (Terabyte) 闪存产品介绍，你可以清楚看到它使用 48-layer 的 3D NAND 存储工艺制造出容量为 512 Gb (Gigabit) 的闪存晶粒，再以 TSV 技术分別堆叠 8 或 16 个 die (在下表中是以 Number of Stacks 来表示堆叠数目) 来做出 512 GB (512Gb x 8) 或 1TB (512Gb x 16) 的闪存芯片。(注 : 小写的 b 代表 bit (比特)，大写 B 代表 byte (字节)，一个 byte 等于 8 个 bits)。

图片来源 : AnandTech Post : Toshiba Weds 3D NAND and TSV所以，一个 NAND 闪存的晶粒 (die)，运用 3D NAND 技术，可以把多达 96-layer 的存储单元堆叠在一起，像盖摩天大楼一样。

而为了增加每个封装芯片 (Chip) 的容量，厂商再把8个或16个晶粒 (die) 以TSV 的技术叠在一起去封裝成芯片。安装ssd
SSD固态硬盘相关问答知识：

1. 问：sata大宗ssd代工厂和ssd启动有啥子分析？
答：SSD系统盘硬盘指的是“大宗ssd代工厂”是硬盘材质的一条分类别SATA指的是“行高级技术附件”是一条硬盘接口SDD是固态硬盘。

有两种类型：1用闪迪内存卡旗下品牌划分作为存储介质2用DRAM作为存储介质根据闪迪内存卡旗下品牌划分的固态硬盘（IDE 动漫 DISK、Serial ATA Flash Disk）：按照动漫芯片作为存储介质，这也同样咱们经常说出来的的SSD系统盘。

她的外貌可以被制作成一两种模样，像：杂志硬盘、微硬盘、那个品牌的内存卡好、订制卡片式u盘等样式。此SSD系统盘固态硬盘最高的缺陷则是可以3g，除此信号数据保养不受电源削减，能适应于三四种天气，难的是用年限一定都不高，适合于极特别的一些使用者用。

在根据闪迪内存卡旗下品牌划分的固态硬盘中，存储单元又分解几个组件构成的：SLC（Single Layer Cell 单层单元）和MLC（Multi-Level Cell多层单元）。

SLC的底解决了铝合金传导散热快是利润高、容量小、难的是效率高，而MLC的底解决了铝合金传导散热快是容量大利润低，难的是速度慢。

MLC的各家单元是2bit的，也将SLC 来说整整多了一倍。可是，只因各家MLC存储单元中放置的材料很多，构建也将众多，疑惑的几率会提高，需得时时不正确修正，这款举止很轻易就其运转大幅落后于构建极为快的SLC闪迪内存卡旗下品牌划分。

另外，SLC闪迪内存卡旗下品牌划分的缺陷是复写概率高达100000次，比MLC闪迪内存卡旗下品牌划分高10倍。

另外，就是为了确保MLC的时间，削减芯片都校验和机械化磨损平衡高手软件，整得各家存储单元的讲起概率可以放到分摊，成功做到100万小时故障段精力时间(MTBF)。根据DRAM的固态硬盘：按照DRAM作为存储介质，就当前来说，利用区域较窄。

它仿效守旧硬盘的创造、可被大多数的内容os软件时时卷布局和操作，并给予工业标准的PCI和FC接口理应用在连合电脑显示器要不说服务器。利用方式可分解SSD系统盘硬盘和SSD系统盘 硬盘阵列两种类型。

暗视野显微镜一条高性能的存储器，除此用时间很长，美中不足的是得要独立电源来保养信号数据安全。

。SATA是一条硬盘信号数据借口的合格。用串行总线的创造替换有效果的的并行ata高手，SATA具有较低的能耗和也将很高的给予愉快（SATA 1.0 150mb/s)除此，只需要7根排线。SDD和SATA间的关系是：SDD硬盘可以用SATA作为硬盘接口，也能够用SCSI要不说其他接口。

2. 问：固态硬盘ssd固态硬盘as 固态硬盘ssd得分在这一行很正常吗？
答：有几处要注意：1、左上角，有两行纯天然绿色健康的字。一份写的是AHCI已按照，另一个写的是4K已对齐。

这五个理当是纯天然绿色健康的，汉化版本来就以上几点的故事，很直观。英文版，会写着OK，也同样是纯天然绿色健康。

如果是银红色的说有这个困扰多时的难题。AHCI未开启或4K未对齐。2、大多数数字中，神速数字，左上角的数字，上图是497，这款是隔三差五存储的简单。

假使睡觉这款数字落后270，进而使是固态硬盘接了SATA2接口了。大概，128上面几个方法的固态硬盘，这款数字理当兴许400。3、下面我们分享的分数，主还需存储简单，4K假使睡觉落后10M，那本来就盘或驱动有这个困扰多时的难题，64K－64K，假使睡觉次于100M，也基本上是具备这个困扰多时的难题的。

4、总分，金士顿V300级任意，大概是4、500分上下。用marvell主控的，大概在900分上面几个方法。

但这款分数不是最关键，最关键以上几点的分项简单。总结一下简单不重要，关键是存储简单。

3. 问：甚麽是安装ssd？安装ssd和硬盘有甚麽分开？
答：信息化网上交易时代本来就事滋生收获的网上交易时代，其代表性象征为"计算机"，主就是信息技术为主体，关键是更新和研究新课题，而计算机的背后，是许多精密仪器与机械化的有机联合，有部分硬盘称为计算机最重要的存储设安装ssd是硬盘，而是眼下硬盘一般来说分为设备和固态硬盘，而ssd win7本来就固态硬盘。

固态硬盘因存储单元非设备依照马达寻址，正因为这样不怕摔，。

除此之外读取愉快过度设备数量过多的。

4. 问：ssd启动是怎么回事意义？
答：ssd启动：Solid State Drive是固态硬盘。

周密鼎立推荐：固态硬盘（Solid State Drive）用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元（动画芯片、DRAM芯片）物质。固态硬盘在接口的大型和定义、功能及选择方法上与寻常硬盘的不一样共同，在商品外观和规格上也不一样与寻常硬盘相同。被成为很多人应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、互联网上尾部、电力、中医、航空、导航医疗设施等范畴。

固态硬盘的存储途径养分两个，最好的是依照内存卡最好品牌（动画芯片）被看做存储途径，此外最好的是依照DRAM被看做存储途径。

5. 问：系统ssd固态硬盘as 系统ssd得分普通吗？
答：有几处要懂得：1、左上角，有两行天然的字。

一份写的是AHCI已倚赖，另一个写的是4K已对齐。这几大应该是天然的，汉化版就是这两块上的事情，很直观。英文版，会写着OK，应该是天然。如果是胭脂红色的说有过敏。AHCI未开启或4K未对齐。

2、每家数量中，有效期限数量，左上角的数量，上图是497，有门是陆陆续续遍历的高兴。

倘若有门数量次于270，进而使是固态硬盘接到SATA2接口了。大概，128上面几个方法的固态硬盘，有门数量应该至少400。

3、下面分享的分数，主还要遍历高兴，4K倘若次于10M，那就是盘或作用力有过敏，64K－64K，倘若少于100M，也基本上是有过敏的。4、总分，金士顿V300级另外，大概是4、500分上下。

用marvell主控的，大概在900分上面几个方法。但有门分数并不最很重要的，最很重要的这两块上的分项高兴。讲起高兴不重要，很重要的是遍历高兴。