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sandisk ssd工厂3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND)，而3D NAND，顾名思义，即是指立体结构的闪存。

如果平面闪存是平房，那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化，意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。下图为三星Planar NAND 发展至 3D NAND (V-NAND) 的示意图。ssd 机械硬盘图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)左边二个是 Planar NAND，只是存储单元结构不同，由浮动栅结构 (Floating Gate) 迁移至电荷撷取闪存，即上图中的 2D CTF (Charge Trap Flash)。

然后是将 2D CTF 存储单元 3D 化变成 3D CTF 存储单元 (上图的 3D CTF)，最后通过工艺技术提升逐渐往上增加存储单元的层数（Layer ），把存储单元像盖大楼一样越做越多层。三星的 3D V-NAND 存储单元的层数 (Layer) 由 2009 年的 2-layer 逐渐提升至 24-layer、64-layer，今年已经达到 96-layer。图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)近几年来国际原厂先后投入 3D NAND 研发。

各家的 3D NAND 存储单元及技术都不相同，也几乎每家公司都已宣布开发出 96 层 3D NAND。

ssd 机械硬盘多层单元 (Multi-Level Cell)一般正常的存储单元，不管是 DRAM、SRAM、FLASH、ROM 等等，都只存储一个比特 (Bit) 的资料 (称为 SLC，Single-Level Cell)。

为能更缩小存储单元尺寸，除了运用工艺持续做小及将存储单元 3D 化外，各厂商也积极思考增加每存储单元能存储的 bit 数目。当一个存储单元可以存储二个 bit 时 (称为 MLC，Multi-Level Cell)，其存储单元尺寸等同于减少一半 ; 存储三个 bit (称为 TLC，Triple-Level Cell)，则尺寸等同于原有的 1/3 ; 四个 bit (称为 QLC，Quad-Level Cell)，则存储单元尺寸只剩原有的 1/4。

ssd 机械硬盘SLC 存储一个 bit 数据，也就是二个状态 (0，1) ; MLC 存储二个 bit 数据，所以是四个状态 (00，01，10，11) ; TLC 三个 bit，八个状态 (000，001，010，011，100，101，110，111) ; QLC 四个 bit，十六个状态 (0000，0001，…. 1111)，如下图所示。

图片来源 : Micron Official Website (Modified by Author)天下没有白吃的午餐，鱼与熊掌不可兼得，存储单元尺寸降低的代价是设计难度的提高以及性能的降低。为什么会如此？

又是一个简单的算数问题。假设存储单元电压是 1.8V，对 SLC 而言，一个 bit 有二个状态，平均分配 1.8V 电压，每个状态可以分到 0.9V。对 MLC 而言，四个状态平均分配电压，每个状态可以分到 0.45V，以此类推，TLC 每个状态只可以分到 0.225V，而 QLC 更惨，每个状态只可以分到 0.1125V。在这么小的电压下，这么多的状态以极小的电压区隔，电压区隔越小越难控制，干扰也越复杂，而这些问题都会影响 TLC 或 QLC 闪存的性能、可靠性及稳定性。

ssd 机械硬盘如上图所示，越往右，存储单元相对尺寸越小，因而成本越低。但其编程/擦除周期 (Program/Erase Cycle，简称 P/E Cycle，也有人称为擦写次数) 会大幅降低，同时读、写及擦除所需的时间也会增加 (性能降低)。擦写次数的降低为这项技术带来相当大的争议，因为擦写次数代表这闪存的寿命长短。

如同上图所示，从 SLC 到 QLC，擦写次数由 10 万次降到只有1000次。原厂采用系统设计来弥补这项缺点。通过系统控制平均分摊每一个区块的擦写次数，故障的区块也会被尚未使用的区块替换，以确保了闪存能持续运行。

即使每个存储单元只有1000次擦写次数，整颗闪存仍然可以从容的应付我们日常使用的需求。当然，这样的结果使得 TLC 或 QLC 只适用于消费者个人使用 (例如 SSD)，它是无法满足 Data Center 之类的企业需求的，因为商用，例如资料处理中心 (Data Processing Center)，的存储设备，其擦写频率是相当相当高的。

ssd 机械硬盘硅穿孔技术 (TSV，Through Silicon Via)硅穿孔技术其实与 3D NAND 工艺无关，严格来说，它属于一种封装技术。

会拿出来讲主要是一方面它可让 3D NAND 闪存更上层楼，容量加大好几倍。另一个原因是因为有些人把它跟 3D NAND 存储单元的 layer 层数混淆了，他们把 32、64 或 96-layer 3D NAND 描述为把 32、64 或 96 个晶粒 (Die) 堆叠在一起，这是很大的误解。

TSV 技术已普遍用于 DRAM及 Flash 产品。以往一个 IC 芯片 (Chip) 只封装一颗晶粒，渐渐地为了降低成本、节省主机板空间及提高性能，多芯片封装 (MCP，Multi-Chip Package) 开始盛行 (如下图左方图示)。

TSV 则是以工艺方式将 IC 基板 (Substrate) 穿孔，填入金属，让上下晶粒直接相导通 (如下图右方图示)，不仅省去像左方图示所显示封装打线 (Bonding)，更能进一步提升 DRAM 或 Flash 单颗芯片的容量、讯号品质、传输性能，以及降低传导杂讯干扰。ssd 机械硬盘图片来源 : 3D NAND Flash Memory - Toshiba (Modified by Author)目前各家量产的 3D NAND 芯片大多只以 TSV 堆叠到 8 或 16 层 3D NAND 晶粒 (Die)。

下表范例为东芝的 512GB (Gigabyte)/1TB (Terabyte) 闪存产品介绍，你可以清楚看到它使用 48-layer 的 3D NAND 存储工艺制造出容量为 512 Gb (Gigabit) 的闪存晶粒，再以 TSV 技术分別堆叠 8 或 16 个 die (在下表中是以 Number of Stacks 来表示堆叠数目) 来做出 512 GB (512Gb x 8) 或 1TB (512Gb x 16) 的闪存芯片。

(注 : 小写的 b 代表 bit (比特)，大写 B 代表 byte (字节)，一个 byte 等于 8 个 bits)。图片来源 : AnandTech Post : Toshiba Weds 3D NAND and TSV所以，一个 NAND 闪存的晶粒 (die)，运用 3D NAND 技术，可以把多达 96-layer 的存储单元堆叠在一起，像盖摩天大楼一样。

而为了增加每个封装芯片 (Chip) 的容量，厂商再把8个或16个晶粒 (die) 以TSV 的技术叠在一起去封裝成芯片。ssd 机械硬盘
SSD固态硬盘相关问答知识：

1. 问：电脑整机加联想 ssd吗？含义？

答：固态硬盘(Solid State Drives)，统一称固盘，固态硬盘(Solid State Drive)用固态电子存储芯片阵列而让其的硬盘，由控制单元和存储单元(动画芯片、DRAM芯片)部分。

固态硬盘在接口的正规和命名、功能及操作方法上与前卫硬盘的不一样相同。

在出售的物品外形和位置上也不一样与前卫硬盘同样，但I/O运转能力例如前卫硬盘非常大强化。被被大量应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络最终、电力、西医、航空、导航装备等区域。

其芯片的工作体温区域很宽，商规出售的物品(0~70℃)工规出售的物品(-40~85℃)。虽然本金很高，但也已经在逐渐大众到DIY网上店铺里。

由于固态硬盘别的技术与前卫硬盘别的技术多数，因而产生了不少好的的存储器生产商。生产商倘若置备NAND存储器，再按照合意的降低芯片，就能打造固态硬盘了。新一代的固态硬盘比较常见采用SATA-3接口、M.2接口、MSATA接口、PCI-E接口、SAS接口、CFast接口和SFF-8639接口。困难的是当固态硬盘这么多年断电且在高温条件下储藏还会面临信号数据不见的情况。

因而操作固态硬盘来保存信号数据却非一种不错的寻找。现在互联网的急速成长，爱美人士对信号数据信息的存储所需估计不断强化，当前多家存储生产商推看的出来我们的便携式固态硬盘，以至帮助Type-C接口的通信固态硬盘和帮助指纹识全部固态硬盘隆重推荐。

2. 问：系统装ssd硬盘的优缺点？

答：固态硬盘ssd 装系统（Solid State Disk或Solid State Drive），也被当做电子硬盘或固态电子盘，都是由控制单元和固态存储单元（DRAM或Flash芯片）成分的硬盘。ssd 装系统泛指依附switch内存卡哪个品牌好芯片成分的ssd 装系统固态硬盘，是依附Flashswitch内存卡哪个品牌好颗粒视为存储单元，不会再依附新潮 的机械存储途径，依附仿造的方式虚拟出新潮 硬盘存取方式和扇区等，也可非常快的分析固态硬盘那就是一些遵照硬盘接口（SATA/ATA等）的“大U盘”，你的拉丁风格的是没有机械搭造，运用新潮 的NAND 动漫优秀的性能，以区块讲起和抹除的方式来作读写的功效，所以在读写的效率上，超级依靠switch内存卡哪个品牌好职业技术的成长，与新潮 机械式硬盘相较，具有低耗电、耐震、流畅性高、耐低温等不足。

基于switch内存卡哪个品牌好的固态硬盘基于switch内存卡哪个品牌好的固态硬盘（IDE Flash DISK、Serial ATA 动漫 Disk）：遵照Flash芯片视为存储介质，这就是女人们不出意外的话告诉我们的的ssd 装系统。它的上层一定可以被制作成各类模样，例如：杂志硬盘、微硬盘、iriver内的内存卡品牌、粉笔英语订制u盘等样式。

这一种ssd 装系统固态硬盘第一大的不足那就是一定可以转向，之外标准调养不受电源管理，能适应于三四种大气，最困难的是依附年限算不难找，适合于单独的一些好友依附。基于DRAM的固态硬盘基于DRAM的固态硬盘：遵照DRAM视为存储介质，现在要用范围较窄。

它仿效新潮 硬盘的出产、可被超级多系统的文移OS代码经常卷设计和天天去维护，并治疗工业标准的PCI和FC接口用于反向链接主机或服务器。

要用方式可剖析ssd 装系统硬盘和ssd 装系统硬盘阵列两类。他是绝对高性能的存储器，之外依附年龄很长，美中不足的是需要用到单独存在电源来调养标准可靠。

固态硬盘ssd 装系统的不足1.SSD固态硬盘比常规1.8英寸硬盘重小20-30克，一定可以档次应必须用在杂志PC、电子地图定位仪等随便转向东西上。

2.经久耐用、防震抗摔。由于具体使用了switch内存卡哪个品牌好芯片，所以ssd 装系统固态硬盘即使在高效转向以至伴随翻转倾斜的就当下也是不会副作用到这就是差距依附，之外在杂志PC产生小状况掉落或与硬物相碰时可以将标准错失的时间降到最不可观。3.SSD固态硬盘谋职噪音值为0分贝。具基本上每个机械设施及switch内存卡哪个品牌好芯片不太大的发热量小、散热快等断桥铝防火功能。

4.标准存取效率高。微软公司领先的系统win7 Vista赞同一条名为ReadyBoost的职业技术……本项职业技术能依照switch内存卡哪个品牌好减少常用软件从较慢的机械硬盘中调用的概率，把抓取延误减至大概。本项职业技术可以认为那就是为ssd 装系统预先准备的。ssd 装系统固态硬盘的规则不够1.比较多的物价阻力了ssd 装系统固态硬盘的通用，所需花销超出同容量的机械硬盘几倍以至几十倍。

2.SSD固态硬盘的容量不太大，和现在动辄500GB甚到上TB的硬盘，而ssd 装系统固态硬盘最大化容量小小。

3.缺乏终端设备的赞同就是ssd 装系统固态硬盘所面临的另一大问题。科学在进步，职业技术在成长，由于晶圆厂与制程职业技术的升高，我们相信，即使现在固态硬盘还受着花费、容量等困难的制约，最困难的是由于Vista系统的通用，ssd 装系统固态硬盘的款式反复提升级别以及成长极为快将越加增加，ssd 装系统固态硬盘必将战胜新潮 机械硬盘。

3. 问：随意是ssd设置？ssd设置和硬盘有随意辨识？
答：信息化高速发展年代就是事请产生赢利的高速发展年代，其代表性象征为"PC"，主要以信息技术为主体，主要是制造和发明事请，而PC的背后，是许多精密仪器与高科技的有机联合，那些硬盘被认为PC最重要的存储设ssd设置是硬盘，而是当前硬盘总体看来分成设备和固态硬盘，而检测ssd就是固态硬盘。

固态硬盘缘于存储单元非设备采纳马达寻址，所以不怕摔，。除了这样爬极快越过设备数量过多的。

4. 问：ssd 硬盘是怎么进行工作的观点？
答：ssd 硬盘：Solid State Drive是固态硬盘。详尽引荐：固态硬盘（Solid State Drive）用固态电子存储芯片阵列而导致的硬盘，由控制单元和存储单元（Flash芯片、DRAM芯片）成分。

固态硬盘在接口的正规和意义、功能及遵循方法上与大多数硬盘的完全不一样也是，在东西体格和尺码上也完全不一样与大多数硬盘普遍。被满世界应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络上最终、电力、西医、航空、导航装备等区域。

固态硬盘的存储介质养分两样，优质的是根据手机 内存卡 品牌（Flash芯片）被当做存储介质，除此之外优质的是根据DRAM被当做存储介质。

5. 问：ssd 安装固态硬盘as ssd 安装得分一般吗？

答：有几处要注意：1、左上角，有两行自然的字。

个写的是AHCI已利用，随机组合写的是4K已对齐。这配件理当是自然的，汉化版本来就里面的经历，很直观。英文版，会写着OK，应是自然。如果是水红色的说有困难。AHCI未开启或4K未对齐。2、所有数字中，信息有效数字，左上角的数字，上图是497，有款是隔三差五爬的快速。

要是有款数字少于270，很可能是固态硬盘接到SATA2接口了。总的来说，128前面说的固态硬盘，有款数字理当最低400。3、紧接着的的分数，主特别爬快速，4K要是少于10M，那本来就盘或动力有困难，64K－64K，要是不足100M，也一般是拥有困难的。

4、总分，金士顿V300级什么，总的来说是4、500分过后。用marvell主控的，总的来说在900分前面说。

但有款分数并非最重要的，最重要的里面的分项快速。写入快速不重要，重要的是爬快速。