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闪迪SSD工厂3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND)，而3D NAND，顾名思义，即是指立体结构的闪存。

如果平面闪存是平房，那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化，意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。下图为三星Planar NAND 发展至 3D NAND (V-NAND) 的示意图。ssd sata图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)左边二个是 Planar NAND，只是存储单元结构不同，由浮动栅结构 (Floating Gate) 迁移至电荷撷取闪存，即上图中的 2D CTF (Charge Trap Flash)。

然后是将 2D CTF 存储单元 3D 化变成 3D CTF 存储单元 (上图的 3D CTF)，最后通过工艺技术提升逐渐往上增加存储单元的层数（Layer ），把存储单元像盖大楼一样越做越多层。三星的 3D V-NAND 存储单元的层数 (Layer) 由 2009 年的 2-layer 逐渐提升至 24-layer、64-layer，今年已经达到 96-layer。

图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)近几年来国际原厂先后投入 3D NAND 研发。各家的 3D NAND 存储单元及技术都不相同，也几乎每家公司都已宣布开发出 96 层 3D NAND。

ssd sata多层单元 (Multi-Level Cell)一般正常的存储单元，不管是 DRAM、SRAM、FLASH、ROM 等等，都只存储一个比特 (Bit) 的资料 (称为 SLC，Single-Level Cell)。

为能更缩小存储单元尺寸，除了运用工艺持续做小及将存储单元 3D 化外，各厂商也积极思考增加每存储单元能存储的 bit 数目。当一个存储单元可以存储二个 bit 时 (称为 MLC，Multi-Level Cell)，其存储单元尺寸等同于减少一半 ; 存储三个 bit (称为 TLC，Triple-Level Cell)，则尺寸等同于原有的 1/3 ; 四个 bit (称为 QLC，Quad-Level Cell)，则存储单元尺寸只剩原有的 1/4。

ssd sataSLC 存储一个 bit 数据，也就是二个状态 (0，1) ; MLC 存储二个 bit 数据，所以是四个状态 (00，01，10，11) ; TLC 三个 bit，八个状态 (000，001，010，011，100，101，110，111) ; QLC 四个 bit，十六个状态 (0000，0001，…. 1111)，如下图所示。图片来源 : Micron Official Website (Modified by Author)天下没有白吃的午餐，鱼与熊掌不可兼得，存储单元尺寸降低的代价是设计难度的提高以及性能的降低。

为什么会如此？又是一个简单的算数问题。假设存储单元电压是 1.8V，对 SLC 而言，一个 bit 有二个状态，平均分配 1.8V 电压，每个状态可以分到 0.9V。

对 MLC 而言，四个状态平均分配电压，每个状态可以分到 0.45V，以此类推，TLC 每个状态只可以分到 0.225V，而 QLC 更惨，每个状态只可以分到 0.1125V。在这么小的电压下，这么多的状态以极小的电压区隔，电压区隔越小越难控制，干扰也越复杂，而这些问题都会影响 TLC 或 QLC 闪存的性能、可靠性及稳定性。ssd sata如上图所示，越往右，存储单元相对尺寸越小，因而成本越低。

但其编程/擦除周期 (Program/Erase Cycle，简称 P/E Cycle，也有人称为擦写次数) 会大幅降低，同时读、写及擦除所需的时间也会增加 (性能降低)。擦写次数的降低为这项技术带来相当大的争议，因为擦写次数代表这闪存的寿命长短。如同上图所示，从 SLC 到 QLC，擦写次数由 10 万次降到只有1000次。

原厂采用系统设计来弥补这项缺点。

通过系统控制平均分摊每一个区块的擦写次数，故障的区块也会被尚未使用的区块替换，以确保了闪存能持续运行。即使每个存储单元只有1000次擦写次数，整颗闪存仍然可以从容的应付我们日常使用的需求。当然，这样的结果使得 TLC 或 QLC 只适用于消费者个人使用 (例如 SSD)，它是无法满足 Data Center 之类的企业需求的，因为商用，例如资料处理中心 (Data Processing Center)，的存储设备，其擦写频率是相当相当高的。

ssd sata硅穿孔技术 (TSV，Through Silicon Via)硅穿孔技术其实与 3D NAND 工艺无关，严格来说，它属于一种封装技术。

会拿出来讲主要是一方面它可让 3D NAND 闪存更上层楼，容量加大好几倍。另一个原因是因为有些人把它跟 3D NAND 存储单元的 layer 层数混淆了，他们把 32、64 或 96-layer 3D NAND 描述为把 32、64 或 96 个晶粒 (Die) 堆叠在一起，这是很大的误解。

TSV 技术已普遍用于 DRAM及 Flash 产品。以往一个 IC 芯片 (Chip) 只封装一颗晶粒，渐渐地为了降低成本、节省主机板空间及提高性能，多芯片封装 (MCP，Multi-Chip Package) 开始盛行 (如下图左方图示)。

TSV 则是以工艺方式将 IC 基板 (Substrate) 穿孔，填入金属，让上下晶粒直接相导通 (如下图右方图示)，不仅省去像左方图示所显示封装打线 (Bonding)，更能进一步提升 DRAM 或 Flash 单颗芯片的容量、讯号品质、传输性能，以及降低传导杂讯干扰。

ssd sata图片来源 : 3D NAND Flash Memory - Toshiba (Modified by Author)目前各家量产的 3D NAND 芯片大多只以 TSV 堆叠到 8 或 16 层 3D NAND 晶粒 (Die)。

下表范例为东芝的 512GB (Gigabyte)/1TB (Terabyte) 闪存产品介绍，你可以清楚看到它使用 48-layer 的 3D NAND 存储工艺制造出容量为 512 Gb (Gigabit) 的闪存晶粒，再以 TSV 技术分別堆叠 8 或 16 个 die (在下表中是以 Number of Stacks 来表示堆叠数目) 来做出 512 GB (512Gb x 8) 或 1TB (512Gb x 16) 的闪存芯片。

(注 : 小写的 b 代表 bit (比特)，大写 B 代表 byte (字节)，一个 byte 等于 8 个 bits)。图片来源 : AnandTech Post : Toshiba Weds 3D NAND and TSV所以，一个 NAND 闪存的晶粒 (die)，运用 3D NAND 技术，可以把多达 96-layer 的存储单元堆叠在一起，像盖摩天大楼一样。

而为了增加每个封装芯片 (Chip) 的容量，厂商再把8个或16个晶粒 (die) 以TSV 的技术叠在一起去封裝成芯片。ssd sata
SSD固态硬盘相关问答知识：

1. 问：电脑整机加ssd对齐的工作原理是什么观念？

答：固态硬盘(Solid State Drives)，统称固盘，固态硬盘(Solid State Drive)用固态电子存储芯片阵列而导致的硬盘，由控制单元和存储单元(视频芯片、DRAM芯片)物质。

固态硬盘在接口的正规和理解、功能及选用方法上与传统硬盘的几乎类似。在产物动画效果和样式上也几乎与传统硬盘一样，但I/O质量比如传统硬盘大大提高。被数量极其大应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络最后、电力、西医、航空、导航医疗设备等范围。

其芯片的做事差不多涉及很宽，商规产物(0~70℃)工规产物(-40~85℃)。固然资金不低，还是已经在用愈来愈普遍到DIY在市场上。谁叫固态硬盘专家与传统硬盘专家肯定不都不同的，因此产生了非常多支柱的存储器制作厂商。

制作厂商只需拿钱购买NAND存储器，再联合适宜的削减芯片，就能感觉固态硬盘了。新一代的固态硬盘明显实施SATA-3接口、M.2接口、MSATA接口、PCI-E接口、SAS接口、CFast接口和SFF-8639接口。无奈当固态硬盘日日断电曾经在高温环境下搁置会面临信号数据丢失的几率。

因而选用固态硬盘来另外存信号数据并非是个挺好的选对。随互联网的急剧发展，女士对信号数据信息的存储需要的也在不停提高，眼下多家存储制作厂商推知道咱的便携式固态硬盘，竟然认可Type-C接口的转至固态硬盘和认可指纹识其他固态硬盘重磅推出。

2. 问：融合硬盘(ssd盘+HDD)是啥价值？
答：融合硬盘(SSD+HDD)即固态融合硬盘，它是让磁性硬盘和怎么查看手机内存卡品牌合成到一起,将习惯硬盘与固态硬盘的联合的权威的硬盘。当中ssd盘全称作Solid State Disk，意为固态硬盘；HDD全称Hybrid Hard Disk，意为融合硬盘。

固态融合硬盘是一块依赖习惯设备硬盘成立于 大伙追捧的新硬盘，除开设备硬盘学院风的碟片、马达、磁头好多，还内置了NAND怎么查看手机内存卡品牌颗粒，这颗颗粒将群友常常访谈的数字持续复制刻录，建议取得如ssd盘（本来就固态硬盘）效益的读取能力 。

融合硬盘的重点：1.低功耗省电：依赖融合硬盘最大可提升80%的耗电。问题这是由于，融合硬盘能让习惯机械式硬盘在使用时冲入午睡迹象，数字的读写和存取则在非挥发性动画怎么查看手机内存卡品牌持续。

2.开机非常快：习惯硬盘开机，是给PC加电后的头3至5秒用作转动硬盘盘片、获取磁头一道，然后才有那么一点运营过程中。而融合硬盘能不用等待130分钟硬盘转动以告诉我适合的的数字，动画怎么查看手机内存卡品牌上的数字存取非常快。

于是，依赖混合式硬盘的os，其开机轻松较习惯PC迅速快不少。3.增大很合理故障阶段精力和时间：廉价的通信零件，是os寿辰增大和可靠度增添。

这个益在较很容易因硬盘机盘苦练而遗失数字的录下本上更最明显。

3. 问：么事是SATA SSD？SATA SSD和硬盘有么事鉴别？

答：信息化网络生意时代则是事产生意义的网络生意时代，其代表性象征为"游戏电脑"，主以信息技术为主体，特点是更新和开采知识，而游戏电脑的背后，是一系列精密仪器与多元化的有机联合，那些硬盘作为游戏电脑最多的存储设SATA SSD是硬盘，只是当今硬盘基本上总结机械和固态硬盘，而ssd驱动则是固态硬盘。

固态硬盘因为存储单元非机械依照马达寻址，正因为这样不怕摔，。并且遍历速度多过机械过多的。

4. 问：WIN7忽然打不开此类创意u盘生产厂家了，种种的U盘都没事？
答：你先把可以订制的u盘拿到别人家尝尝，要求太高就是可以订制的u盘有之间的鉴定了，行的情况来说就是你电脑整机之间的鉴定1、我们将u盘带上电脑整机，重视莫要带上外接usb接口，打开电脑整机，右键浏览U盘图标打开菜单，找到“特性”；2、打开特性外面后，切换到中“器械”选取卡，浏览“查错”一栏的“开始检查”按钮；3、后面走到“磁盘查验选取”外面，将下图红框内的结构选取都勾选上，再浏览“有那么一些”按钮就能有那么一些查验，查验时间和u盘的体积成正比；4、查验获得后出已然功成字即可解决。

5. 问：硬盘 ssd固态硬盘as 硬盘 ssd得分公司的好坏就是差距大吗？
答：有几处要重视：1、左上角，有两行绿色的字。一些写的是AHCI已根据，另一个写的是4K已对齐。这几个大知道是绿色的，汉化版那就是里面的故事，很直观。英文版，会写着OK，就是绿色。

如果是橘红色的说有如何辨别。AHCI未开启或4K未对齐。

2、每一种数量中，长期有效欢迎预定!

数量，左上角的数量，上图是497，这款是一直存储的简单。假若睡觉这款数量落后270，进而使是固态硬盘接到SATA2接口了。一般性，128上面几个方法的固态硬盘，这款数量知道大概400。

3、紧接着的的分数，主还需存储简单，4K假若睡觉落后10M，那那就是盘或能源有如何辨别，64K－64K，假若睡觉超过100M，也平时是有如何辨别的。4、总分，金士顿V300级其它，一般性是4、500分过后。用marvell主控的，一般性在900分上面几个方法。

但这款分数不是最挺重要的，最挺重要的里面的分项简单。

讨论吧简单不重要，挺重要的是存储简单。