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两种类型最广泛依据的易失性存储器是静态和活跃自由组合存取存储器。经常用的缩写有SRAM和DRAM。。

不难看出DRAM的因素确实所谓的有损存储：存储时假使睡觉电容有电，便会投资电容中的电； 假使睡觉电容是否有电，输入端的残余电荷也就注入电容。

因而，假使睡觉再三存储DRAM，有一点存储的功率会趋于中间值，讯息不分明。现在惠州U盘厂要用到限制元件定时刷新电容并拉回需要的深浅电平。DRAM所谓的“活跃”，就指的是此种刷新的要用到。