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创见ssd工厂3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND)，而3D NAND，顾名思义，即是指立体结构的闪存。

如果平面闪存是平房，那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化，意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。

下图为三星Planar NAND 发展至 3D NAND (V-NAND) 的示意图。

m.2 ssd图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)左边二个是 Planar NAND，只是存储单元结构不同，由浮动栅结构 (Floating Gate) 迁移至电荷撷取闪存，即上图中的 2D CTF (Charge Trap Flash)。然后是将 2D CTF 存储单元 3D 化变成 3D CTF 存储单元 (上图的 3D CTF)，最后通过工艺技术提升逐渐往上增加存储单元的层数（Layer ），把存储单元像盖大楼一样越做越多层。

三星的 3D V-NAND 存储单元的层数 (Layer) 由 2009 年的 2-layer 逐渐提升至 24-layer、64-layer，今年已经达到 96-layer。图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)近几年来国际原厂先后投入 3D NAND 研发。

各家的 3D NAND 存储单元及技术都不相同，也几乎每家公司都已宣布开发出 96 层 3D NAND。m.2 ssd多层单元 (Multi-Level Cell)一般正常的存储单元，不管是 DRAM、SRAM、FLASH、ROM 等等，都只存储一个比特 (Bit) 的资料 (称为 SLC，Single-Level Cell)。为能更缩小存储单元尺寸，除了运用工艺持续做小及将存储单元 3D 化外，各厂商也积极思考增加每存储单元能存储的 bit 数目。

当一个存储单元可以存储二个 bit 时 (称为 MLC，Multi-Level Cell)，其存储单元尺寸等同于减少一半 ; 存储三个 bit (称为 TLC，Triple-Level Cell)，则尺寸等同于原有的 1/3 ; 四个 bit (称为 QLC，Quad-Level Cell)，则存储单元尺寸只剩原有的 1/4。

m.2 ssdSLC 存储一个 bit 数据，也就是二个状态 (0，1) ; MLC 存储二个 bit 数据，所以是四个状态 (00，01，10，11) ; TLC 三个 bit，八个状态 (000，001，010，011，100，101，110，111) ; QLC 四个 bit，十六个状态 (0000，0001，…. 1111)，如下图所示。

图片来源 : Micron Official Website (Modified by Author)天下没有白吃的午餐，鱼与熊掌不可兼得，存储单元尺寸降低的代价是设计难度的提高以及性能的降低。

为什么会如此？又是一个简单的算数问题。假设存储单元电压是 1.8V，对 SLC 而言，一个 bit 有二个状态，平均分配 1.8V 电压，每个状态可以分到 0.9V。对 MLC 而言，四个状态平均分配电压，每个状态可以分到 0.45V，以此类推，TLC 每个状态只可以分到 0.225V，而 QLC 更惨，每个状态只可以分到 0.1125V。

在这么小的电压下，这么多的状态以极小的电压区隔，电压区隔越小越难控制，干扰也越复杂，而这些问题都会影响 TLC 或 QLC 闪存的性能、可靠性及稳定性。

m.2 ssd如上图所示，越往右，存储单元相对尺寸越小，因而成本越低。但其编程/擦除周期 (Program/Erase Cycle，简称 P/E Cycle，也有人称为擦写次数) 会大幅降低，同时读、写及擦除所需的时间也会增加 (性能降低)。

擦写次数的降低为这项技术带来相当大的争议，因为擦写次数代表这闪存的寿命长短。如同上图所示，从 SLC 到 QLC，擦写次数由 10 万次降到只有1000次。原厂采用系统设计来弥补这项缺点。

通过系统控制平均分摊每一个区块的擦写次数，故障的区块也会被尚未使用的区块替换，以确保了闪存能持续运行。即使每个存储单元只有1000次擦写次数，整颗闪存仍然可以从容的应付我们日常使用的需求。当然，这样的结果使得 TLC 或 QLC 只适用于消费者个人使用 (例如 SSD)，它是无法满足 Data Center 之类的企业需求的，因为商用，例如资料处理中心 (Data Processing Center)，的存储设备，其擦写频率是相当相当高的。

m.2 ssd硅穿孔技术 (TSV，Through Silicon Via)硅穿孔技术其实与 3D NAND 工艺无关，严格来说，它属于一种封装技术。

会拿出来讲主要是一方面它可让 3D NAND 闪存更上层楼，容量加大好几倍。另一个原因是因为有些人把它跟 3D NAND 存储单元的 layer 层数混淆了，他们把 32、64 或 96-layer 3D NAND 描述为把 32、64 或 96 个晶粒 (Die) 堆叠在一起，这是很大的误解。

TSV 技术已普遍用于 DRAM及 Flash 产品。以往一个 IC 芯片 (Chip) 只封装一颗晶粒，渐渐地为了降低成本、节省主机板空间及提高性能，多芯片封装 (MCP，Multi-Chip Package) 开始盛行 (如下图左方图示)。TSV 则是以工艺方式将 IC 基板 (Substrate) 穿孔，填入金属，让上下晶粒直接相导通 (如下图右方图示)，不仅省去像左方图示所显示封装打线 (Bonding)，更能进一步提升 DRAM 或 Flash 单颗芯片的容量、讯号品质、传输性能，以及降低传导杂讯干扰。

m.2 ssd图片来源 : 3D NAND Flash Memory - Toshiba (Modified by Author)目前各家量产的 3D NAND 芯片大多只以 TSV 堆叠到 8 或 16 层 3D NAND 晶粒 (Die)。

下表范例为东芝的 512GB (Gigabyte)/1TB (Terabyte) 闪存产品介绍，你可以清楚看到它使用 48-layer 的 3D NAND 存储工艺制造出容量为 512 Gb (Gigabit) 的闪存晶粒，再以 TSV 技术分別堆叠 8 或 16 个 die (在下表中是以 Number of Stacks 来表示堆叠数目) 来做出 512 GB (512Gb x 8) 或 1TB (512Gb x 16) 的闪存芯片。

(注 : 小写的 b 代表 bit (比特)，大写 B 代表 byte (字节)，一个 byte 等于 8 个 bits)。图片来源 : AnandTech Post : Toshiba Weds 3D NAND and TSV所以，一个 NAND 闪存的晶粒 (die)，运用 3D NAND 技术，可以把多达 96-layer 的存储单元堆叠在一起，像盖摩天大楼一样。

而为了增加每个封装芯片 (Chip) 的容量，厂商再把8个或16个晶粒 (die) 以TSV 的技术叠在一起去封裝成芯片。m.2 ssd
SSD固态硬盘相关问答知识：

1. 问：sataSSD代工厂 中大和ssd设置有么事区别？
答：固态硬盘ssd硬盘指的是“SSD代工厂 中大”是硬盘材质的一种类型SATA指的是“行高级技术附件”是一种硬盘接口SDD是固态硬盘。有2种：1倚赖内存卡选那个品牌被认为存储桥梁2倚赖DRAM被认为存储桥梁依靠内存卡选那个品牌的固态硬盘（IDE 动画 DISK、Serial ATA 动漫 Disk）：遵循动画芯片被认为存储桥梁，这便是女性们可能所说的固态硬盘ssd。

它的从外表上看可以被制作成很多种模样，假如：书本硬盘、微硬盘、手机内存卡哪个品牌的好、u盘指示灯订制等样式。此种固态硬盘ssd固态硬盘第一大的闪光点就是可以移动运营网，之外信号信息护理不受电源尽量阻止，能适应于各类天气，困惑的是倚赖年限不是很高，适合于尤其是使用人倚赖。

在依靠内存卡选那个品牌的固态硬盘中，存储单元又份量几方面：SLC（Single Layer Cell 单层单元）和MLC（Multi-Level Cell多层单元）。

SLC的特点是资金高、容量小、困惑的是速度快，而MLC的特点是容量大资金低，困惑的是速度慢。MLC的大多数单元是2bit的，也同样会SLC 而言整整多了一倍。但是，只因为大多数MLC存储单元中储藏的资料较多，搭造也同样会困难，疑问的几率会添加，需得时常不正确修正，这样行动一不留神就其好坏大大的落后于搭造神速的SLC内存卡选那个品牌。

除此之外，SLC内存卡选那个品牌的闪光点是复写几率高达100000次，比MLC内存卡选那个品牌高10倍。除此之外，为的就是保证MLC的生辰，尽量阻止芯片都校验和先进磨损平衡专业技术程序，会使大多数存储单元的介绍吧几率可以放到分摊，得到100万小时故障段工夫(MTBF)。

依靠DRAM的固态硬盘：遵循DRAM被认为存储桥梁，当下要用范畴较窄。它仿效普通硬盘的创造、可被多数电脑系统的文件系统器材时常卷设置和天天去看着，并得到工业标准的PCI和FC接口安全起见还是用在连合电脑主机并服务器。

要用方式可份量固态硬盘ssd硬盘和固态硬盘ssd 硬盘阵列2种。这是一种高性能的存储器，之外倚赖生辰很长，美中不足的是得要单独电源来护理信号信息放心。。

SATA是一种硬盘信号信息借口的大型。

实施串行总线的创造取代原有的并行ata专业技术，SATA富有较低的能耗和也同样会多的供给速度（SATA 1.0 150mb/s)此外，只需要7根排线。SDD和SATA间的感情是：SDD硬盘可以倚赖SATA被认为硬盘接口，都可以倚赖SCSI并其他接口。

2. 问：安装ssd固态硬盘as 安装ssd得分差别啊吗？
答：有几处要注意：1、左上角，有两行绿色无害的字。一份写的是AHCI已采取，另一个写的是4K已对齐。这八招知道是绿色无害的，汉化版就是前面说的词语，很直观。

英文版，会写着OK，也同样绿色无害。如果是铁锈红色的说有疑问。AHCI未开启或4K未对齐。2、整个数字中，第一个数字，左上角的数字，上图是497，这样是继续收录的高兴。若是这样数字高出270，从而让是固态硬盘接到SATA2接口了。

基本上，128以上的固态硬盘，这样数字知道最起码400。3、后面的分数，主必须收录高兴，4K若是高出10M，那就是盘或驱动有疑问，64K－64K，若是也许多于100M，也一般是具备疑问的。

4、总分，金士顿V300级什么，基本上是4、500分以后。用marvell主控的，基本上在900分以上。但这样分数并不最重点，最重点前面说的分项高兴。说吧高兴不重要，重点是收录高兴。

3. 问：ssd固态与sd固态硬盘有为何甄别？
答：无SD固态硬盘。

固态硬盘的缩写则是三星 ssd。SD是闪存卡，迅速比三星 ssd差了十万八千里。兴许是有朋友拼写不对。没SD固态硬盘。

4. 问：笔记本ssd的工作原理是什么含义？
答：笔记本ssd：Solid State Drive是固态硬盘。

正确强力推荐：固态硬盘（Solid State Drive）用固态电子存储芯片阵列而导致的硬盘，由控制单元和存储单元（视频芯片、DRAM芯片）成分。固态硬盘在接口的合法和原理、功能及采用方法上与多数硬盘的完全不一样类似，在产品形体和大小上也完全不一样与多数硬盘一样。

被被很多人应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、互联网上终端、电力、国际医学、航空、导航医疗设施等区域。固态硬盘的存储媒介分解两种类型，权威的是根据内存卡 品牌（视频芯片）当为存储媒介，同时权威的是根据DRAM当为存储媒介。

5. 问：Ssd 机械硬盘固态硬盘as Ssd 机械硬盘得分好的公司差距就是这么大吗？
答：有几处要留心：1、左上角，有两行绿色无害的字。

份写的是AHCI已依仗，另一个写的是4K已对齐。这某些清楚是绿色无害的，汉化版那就是前面说的历程，很直观。英文版，会写着OK，那就是绿色无害。如果是铁锈红色的说有如何辨别。

AHCI未开启或4K未对齐。2、不同的数字中，信息有效数字，左上角的数字，上图是497，这种是断断续续收录的迅速。

假使睡觉这种数字高出270，从而让是固态硬盘收到SATA2接口了。大概，128前面的固态硬盘，这种数字清楚兴许400。3、现在分享的分数，主值得收录迅速，4K假使睡觉高出10M，那那就是盘或驱动有如何辨别，64K－64K，假使睡觉只有100M，也可能有如何辨别的。4、总分，金士顿V300级所有的，大概是4、500分以后。

用marvell主控的，大概在900分前面。但这种分数并非最重要的，最重要的前面说的分项迅速。说一下迅速不重要，重要的是收录迅速。