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滘心村亿储SSD工厂3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。

此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND)，而3D NAND，顾名思义，即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房，那 3D NAND 就是高楼大厦。

把存储单元立体化，意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。

下图为三星Planar NAND 发展至 3D NAND (V-NAND) 的示意图。三星ssd图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)左边二个是 Planar NAND，只是存储单元结构不同，由浮动栅结构 (Floating Gate) 迁移至电荷撷取闪存，即上图中的 2D CTF (Charge Trap Flash)。

然后是将 2D CTF 存储单元 3D 化变成 3D CTF 存储单元 (上图的 3D CTF)，最后通过工艺技术提升逐渐往上增加存储单元的层数（Layer ），把存储单元像盖大楼一样越做越多层。三星的 3D V-NAND 存储单元的层数 (Layer) 由 2009 年的 2-layer 逐渐提升至 24-layer、64-layer，今年已经达到 96-layer。

图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)近几年来国际原厂先后投入 3D NAND 研发。各家的 3D NAND 存储单元及技术都不相同，也几乎每家公司都已宣布开发出 96 层 3D NAND。

三星ssd多层单元 (Multi-Level Cell)一般正常的存储单元，不管是 DRAM、SRAM、FLASH、ROM 等等，都只存储一个比特 (Bit) 的资料 (称为 SLC，Single-Level Cell)。为能更缩小存储单元尺寸，除了运用工艺持续做小及将存储单元 3D 化外，各厂商也积极思考增加每存储单元能存储的 bit 数目。

当一个存储单元可以存储二个 bit 时 (称为 MLC，Multi-Level Cell)，其存储单元尺寸等同于减少一半 ; 存储三个 bit (称为 TLC，Triple-Level Cell)，则尺寸等同于原有的 1/3 ; 四个 bit (称为 QLC，Quad-Level Cell)，则存储单元尺寸只剩原有的 1/4。

三星ssdSLC 存储一个 bit 数据，也就是二个状态 (0，1) ; MLC 存储二个 bit 数据，所以是四个状态 (00，01，10，11) ; TLC 三个 bit，八个状态 (000，001，010，011，100，101，110，111) ; QLC 四个 bit，十六个状态 (0000，0001，…. 1111)，如下图所示。

图片来源 : Micron Official Website (Modified by Author)天下没有白吃的午餐，鱼与熊掌不可兼得，存储单元尺寸降低的代价是设计难度的提高以及性能的降低。

为什么会如此？又是一个简单的算数问题。假设存储单元电压是 1.8V，对 SLC 而言，一个 bit 有二个状态，平均分配 1.8V 电压，每个状态可以分到 0.9V。对 MLC 而言，四个状态平均分配电压，每个状态可以分到 0.45V，以此类推，TLC 每个状态只可以分到 0.225V，而 QLC 更惨，每个状态只可以分到 0.1125V。

在这么小的电压下，这么多的状态以极小的电压区隔，电压区隔越小越难控制，干扰也越复杂，而这些问题都会影响 TLC 或 QLC 闪存的性能、可靠性及稳定性。

三星ssd如上图所示，越往右，存储单元相对尺寸越小，因而成本越低。但其编程/擦除周期 (Program/Erase Cycle，简称 P/E Cycle，也有人称为擦写次数) 会大幅降低，同时读、写及擦除所需的时间也会增加 (性能降低)。

擦写次数的降低为这项技术带来相当大的争议，因为擦写次数代表这闪存的寿命长短。如同上图所示，从 SLC 到 QLC，擦写次数由 10 万次降到只有1000次。原厂采用系统设计来弥补这项缺点。通过系统控制平均分摊每一个区块的擦写次数，故障的区块也会被尚未使用的区块替换，以确保了闪存能持续运行。

即使每个存储单元只有1000次擦写次数，整颗闪存仍然可以从容的应付我们日常使用的需求。当然，这样的结果使得 TLC 或 QLC 只适用于消费者个人使用 (例如 SSD)，它是无法满足 Data Center 之类的企业需求的，因为商用，例如资料处理中心 (Data Processing Center)，的存储设备，其擦写频率是相当相当高的。三星ssd硅穿孔技术 (TSV，Through Silicon Via)硅穿孔技术其实与 3D NAND 工艺无关，严格来说，它属于一种封装技术。

会拿出来讲主要是一方面它可让 3D NAND 闪存更上层楼，容量加大好几倍。另一个原因是因为有些人把它跟 3D NAND 存储单元的 layer 层数混淆了，他们把 32、64 或 96-layer 3D NAND 描述为把 32、64 或 96 个晶粒 (Die) 堆叠在一起，这是很大的误解。

TSV 技术已普遍用于 DRAM及 Flash 产品。以往一个 IC 芯片 (Chip) 只封装一颗晶粒，渐渐地为了降低成本、节省主机板空间及提高性能，多芯片封装 (MCP，Multi-Chip Package) 开始盛行 (如下图左方图示)。

TSV 则是以工艺方式将 IC 基板 (Substrate) 穿孔，填入金属，让上下晶粒直接相导通 (如下图右方图示)，不仅省去像左方图示所显示封装打线 (Bonding)，更能进一步提升 DRAM 或 Flash 单颗芯片的容量、讯号品质、传输性能，以及降低传导杂讯干扰。三星ssd图片来源 : 3D NAND Flash Memory - Toshiba (Modified by Author)目前各家量产的 3D NAND 芯片大多只以 TSV 堆叠到 8 或 16 层 3D NAND 晶粒 (Die)。

下表范例为东芝的 512GB (Gigabyte)/1TB (Terabyte) 闪存产品介绍，你可以清楚看到它使用 48-layer 的 3D NAND 存储工艺制造出容量为 512 Gb (Gigabit) 的闪存晶粒，再以 TSV 技术分別堆叠 8 或 16 个 die (在下表中是以 Number of Stacks 来表示堆叠数目) 来做出 512 GB (512Gb x 8) 或 1TB (512Gb x 16) 的闪存芯片。

(注 : 小写的 b 代表 bit (比特)，大写 B 代表 byte (字节)，一个 byte 等于 8 个 bits)。

图片来源 : AnandTech Post : Toshiba Weds 3D NAND and TSV所以，一个 NAND 闪存的晶粒 (die)，运用 3D NAND 技术，可以把多达 96-layer 的存储单元堆叠在一起，像盖摩天大楼一样。而为了增加每个封装芯片 (Chip) 的容量，厂商再把8个或16个晶粒 (die) 以TSV 的技术叠在一起去封裝成芯片。

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SSD固态硬盘相关问答知识：

1. 问：游戏电脑加ssd盘强不强价值？

答：固态硬盘(Solid State Drives)，统称固盘，固态硬盘(Solid State Drive)用固态电子存储芯片阵列而变得的硬盘，由控制单元和存储单元(视频芯片、DRAM芯片)因子。

固态硬盘在接口的正规和理论、功能及操作方法上与现代硬盘的不好也。在用品形体和规格上也不好与现代硬盘相一致，但I/O运转能力相对现代硬盘大大巩固。被大量应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络上最终、电力、西医、航空、导航医疗设备等范畴。

其芯片的求职温差涉及很宽，商规用品(0~70℃)工规用品(-40~85℃)。固然花费比较多，可是用过越来越大众化到DIY不锈钢市场。只因固态硬盘技术与现代硬盘技术并无，正因为这样，产生了不少历史性的存储器研发商。研发商倘若购NAND存储器，再连合妥当的操作芯片，即能发现固态硬盘了。国际领先的的固态硬盘最明显依照SATA-3接口、M.2接口、MSATA接口、PCI-E接口、SAS接口、CFast接口和SFF-8639接口。

可当固态硬盘时常断电并且在高温天气下放置会面临信号错失的机会。于是操作固态硬盘来备份信号并非是一种不赖的找到。

近几年互联网的飞速成长，女士对信号事的存储所需估计不间断巩固，当前多家存储研发商推出去自己的便携式固态硬盘，甚至赞同Type-C接口的联通固态硬盘和赞同指纹识全部固态硬盘推出。

2. 问：融合硬盘(硬盘 ssd+HDD)是啥含义？
答：融合硬盘(SSD+HDD)即固态融合硬盘，它是令磁性硬盘和内存卡有几种品牌集成到一起,将习惯硬盘与固态硬盘的联合的一款硬盘。

有些硬盘 ssd全称为Solid State Disk，意为固态硬盘；HDD全称Hybrid Hard Disk，意为融合硬盘。

固态融合硬盘是一起儿按照习惯机械硬盘创立于大伙欢迎的新硬盘，除了机械硬盘潮眼睛的碟片、马达、磁头等等，还内置了NAND内存卡有几种品牌颗粒，这颗颗粒将群众经常寻问的信号信息实行 储存，一定可以到达如硬盘 ssd（那就是固态硬盘）疗效的爬行运作 。

融合硬盘的断桥铝保温隔热性好：1.低功耗省电：根据融合硬盘最大化可省下80%的耗电。缘故主要是，融合硬盘能让习惯机械式硬盘在使用时涌进熟睡状况，信号信息的读写和存取则在非挥发性动漫内存卡有几种品牌实行 。

2.开机极快：习惯硬盘开机，是给PC加电后的头3至5秒作为转动硬盘盘片、从而实现磁头一同，然后才已经执行步骤。

而融合硬盘能不需要等待8小时硬盘转动以求助适合的的信号信息，动漫内存卡有几种品牌上的信号信息存取超级快。

所以，根据混合式硬盘的操作系统，其开机轻松较习惯PC速度快许多。3.延缓合理故障段精力：便宜的联通东西，属于操作系统生命延缓和放心度增强。

这个益处于较导致因硬盘机盘干扰而遗失信号信息的记录本上更比较常见。

3. 问：ssd m2与sd固态硬盘有哪种鉴别？

答：没得SD固态硬盘。固态硬盘的缩写确实固态硬盘ssd。SD是闪存卡，快速比固态硬盘ssd差了十万八千里。

大概是有没有谁拼写错误。没SD固态硬盘。

4. 问：ssd 软件是怎么样进行工作的理论？
答：ssd 软件：Solid State Drive是固态硬盘。

到位鼎立推荐：固态硬盘（Solid State Drive）用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元（视频芯片、DRAM芯片）物质。

固态硬盘在接口的大型和定义、功能及根据方法上与普通硬盘的都相同，在产品动画和位置上也都与普通硬盘一样。

被普通应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、网络最后、电力、各界医疗、航空、导航装置等区域。固态硬盘的存储介质可有效两个，一是凭据中国内存卡品牌（视频芯片）称作存储介质，此外一是凭据DRAM称作存储介质。

5. 问：ssd笔记固态硬盘as ssd笔记得分这就是残酷的现实吗？

答：有几处要特别注意：1、左上角，有两行绿色健康的字。一种写的是AHCI已依仗，随机组合写的是4K已对齐。这六个应该是绿色健康的，汉化版则是上面的的词语，很直观。

英文版，会写着OK，也是绿色健康。

如果是桃红色的说有之分的问题。AHCI未开启或4K未对齐。2、全部数量中，合作日期数量，左上角的数量，上图是497，这款是继续爬的极为快。

倘若睡觉这款数量不足270，容易是固态硬盘得到SATA2接口了。一般，128前面几个方法的固态硬盘，这款数量应该大概400。

3、紧接着的的分数，主要爬极为快，4K倘若睡觉不足10M，那则是盘或作用力有之分的问题，64K－64K，倘若睡觉只有100M，也经常是有之分的问题的。4、总分，金士顿V300级别的，一般是4、500分过后。用marvell主控的，一般在900分前面几个方法。

但这款分数却不最挺重要的，最挺重要的上面的的分项极为快。写入极为快不重要，挺重要的是爬极为快。