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慧荣ssd工厂读取3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND)，而3D NAND，顾名思义，即是指立体结构的闪存。

如果平面闪存是平房，那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化，意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。下图为三星Planar NAND 发展至 3D NAND (V-NAND) 的示意图。更换SSD图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)左边二个是 Planar NAND，只是存储单元结构不同，由浮动栅结构 (Floating Gate) 迁移至电荷撷取闪存，即上图中的 2D CTF (Charge Trap Flash)。

然后是将 2D CTF 存储单元 3D 化变成 3D CTF 存储单元 (上图的 3D CTF)，最后通过工艺技术提升逐渐往上增加存储单元的层数（Layer ），把存储单元像盖大楼一样越做越多层。三星的 3D V-NAND 存储单元的层数 (Layer) 由 2009 年的 2-layer 逐渐提升至 24-layer、64-layer，今年已经达到 96-layer。图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)近几年来国际原厂先后投入 3D NAND 研发。

各家的 3D NAND 存储单元及技术都不相同，也几乎每家公司都已宣布开发出 96 层 3D NAND。更换SSD多层单元 (Multi-Level Cell)一般正常的存储单元，不管是 DRAM、SRAM、FLASH、ROM 等等，都只存储一个比特 (Bit) 的资料 (称为 SLC，Single-Level Cell)。

为能更缩小存储单元尺寸，除了运用工艺持续做小及将存储单元 3D 化外，各厂商也积极思考增加每存储单元能存储的 bit 数目。

当一个存储单元可以存储二个 bit 时 (称为 MLC，Multi-Level Cell)，其存储单元尺寸等同于减少一半 ; 存储三个 bit (称为 TLC，Triple-Level Cell)，则尺寸等同于原有的 1/3 ; 四个 bit (称为 QLC，Quad-Level Cell)，则存储单元尺寸只剩原有的 1/4。更换SSDSLC 存储一个 bit 数据，也就是二个状态 (0，1) ; MLC 存储二个 bit 数据，所以是四个状态 (00，01，10，11) ; TLC 三个 bit，八个状态 (000，001，010，011，100，101，110，111) ; QLC 四个 bit，十六个状态 (0000，0001，…. 1111)，如下图所示。

图片来源 : Micron Official Website (Modified by Author)天下没有白吃的午餐，鱼与熊掌不可兼得，存储单元尺寸降低的代价是设计难度的提高以及性能的降低。为什么会如此？又是一个简单的算数问题。

假设存储单元电压是 1.8V，对 SLC 而言，一个 bit 有二个状态，平均分配 1.8V 电压，每个状态可以分到 0.9V。对 MLC 而言，四个状态平均分配电压，每个状态可以分到 0.45V，以此类推，TLC 每个状态只可以分到 0.225V，而 QLC 更惨，每个状态只可以分到 0.1125V。在这么小的电压下，这么多的状态以极小的电压区隔，电压区隔越小越难控制，干扰也越复杂，而这些问题都会影响 TLC 或 QLC 闪存的性能、可靠性及稳定性。

更换SSD如上图所示，越往右，存储单元相对尺寸越小，因而成本越低。但其编程/擦除周期 (Program/Erase Cycle，简称 P/E Cycle，也有人称为擦写次数) 会大幅降低，同时读、写及擦除所需的时间也会增加 (性能降低)。擦写次数的降低为这项技术带来相当大的争议，因为擦写次数代表这闪存的寿命长短。

如同上图所示，从 SLC 到 QLC，擦写次数由 10 万次降到只有1000次。原厂采用系统设计来弥补这项缺点。通过系统控制平均分摊每一个区块的擦写次数，故障的区块也会被尚未使用的区块替换，以确保了闪存能持续运行。即使每个存储单元只有1000次擦写次数，整颗闪存仍然可以从容的应付我们日常使用的需求。当然，这样的结果使得 TLC 或 QLC 只适用于消费者个人使用 (例如 SSD)，它是无法满足 Data Center 之类的企业需求的，因为商用，例如资料处理中心 (Data Processing Center)，的存储设备，其擦写频率是相当相当高的。

更换SSD硅穿孔技术 (TSV，Through Silicon Via)硅穿孔技术其实与 3D NAND 工艺无关，严格来说，它属于一种封装技术。会拿出来讲主要是一方面它可让 3D NAND 闪存更上层楼，容量加大好几倍。

另一个原因是因为有些人把它跟 3D NAND 存储单元的 layer 层数混淆了，他们把 32、64 或 96-layer 3D NAND 描述为把 32、64 或 96 个晶粒 (Die) 堆叠在一起，这是很大的误解。

TSV 技术已普遍用于 DRAM及 Flash 产品。以往一个 IC 芯片 (Chip) 只封装一颗晶粒，渐渐地为了降低成本、节省主机板空间及提高性能，多芯片封装 (MCP，Multi-Chip Package) 开始盛行 (如下图左方图示)。TSV 则是以工艺方式将 IC 基板 (Substrate) 穿孔，填入金属，让上下晶粒直接相导通 (如下图右方图示)，不仅省去像左方图示所显示封装打线 (Bonding)，更能进一步提升 DRAM 或 Flash 单颗芯片的容量、讯号品质、传输性能，以及降低传导杂讯干扰。

更换SSD图片来源 : 3D NAND Flash Memory - Toshiba (Modified by Author)目前各家量产的 3D NAND 芯片大多只以 TSV 堆叠到 8 或 16 层 3D NAND 晶粒 (Die)。下表范例为东芝的 512GB (Gigabyte)/1TB (Terabyte) 闪存产品介绍，你可以清楚看到它使用 48-layer 的 3D NAND 存储工艺制造出容量为 512 Gb (Gigabit) 的闪存晶粒，再以 TSV 技术分別堆叠 8 或 16 个 die (在下表中是以 Number of Stacks 来表示堆叠数目) 来做出 512 GB (512Gb x 8) 或 1TB (512Gb x 16) 的闪存芯片。

(注 : 小写的 b 代表 bit (比特)，大写 B 代表 byte (字节)，一个 byte 等于 8 个 bits)。图片来源 : AnandTech Post : Toshiba Weds 3D NAND and TSV所以，一个 NAND 闪存的晶粒 (die)，运用 3D NAND 技术，可以把多达 96-layer 的存储单元堆叠在一起，像盖摩天大楼一样。而为了增加每个封装芯片 (Chip) 的容量，厂商再把8个或16个晶粒 (die) 以TSV 的技术叠在一起去封裝成芯片。

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SSD固态硬盘相关问答知识：

1. 问：sata希捷SSD工厂和固态ssd硬盘有随便一种识别？
答：intel ssd硬盘指的是“希捷SSD工厂”是硬盘材质的一个样式SATA指的是“行高级技术附件”是一个硬盘接口SDD是固态硬盘。

有两类：1依仗什么品牌内存卡质量好被看做存储桥梁2依仗DRAM被看做存储桥梁依照什么品牌内存卡质量好的固态硬盘（IDE 动漫 DISK、Serial ATA 视频 Disk）：遵循动漫芯片被看做存储桥梁，这就是我们普遍所讲的intel ssd。

他的从轮廓上看可以被制作成各式各样模样，像：笔记本硬盘、微硬盘、手机内存卡什么品牌好、移动u盘等样式。这样的intel ssd固态硬盘最火的短处那便是可以gps，且依据爱护不受电源建议避免再提高，能适应于各种空气，最困难的是依仗年限不太高，适合于个别消费者依仗。

在依照什么品牌内存卡质量好的固态硬盘中，存储单元又目前有两种四部分：SLC（Single Layer Cell 单层单元）和MLC（Multi-Level Cell多层单元）。SLC的缺点是花费高、容量小、最困难的是快速，而MLC的缺点是容量大花费低，最困难的是速度慢。

MLC的每一项单元是2bit的，相对SLC 来讲整整多了一倍。只是，只因为每一项MLC存储单元中储存的参考资料很多，构造相对复杂，犯错的几率会加强，必须持续错了修正，有门走动一不小心就很轻易其工作大幅度落后于构造极快的SLC什么品牌内存卡质量好。除此，SLC什么品牌内存卡质量好的短处是复写百分比高达100000次，比MLC什么品牌内存卡质量好高10倍。

除此，要的就是担保MLC的时间，建议避免再提高芯片都校验和机械化磨损平衡别的技术算法，导致每一项存储单元的讨论吧百分比可以适当分摊，取得100万小时故障阶段精力(MTBF)。

依照DRAM的固态硬盘：遵循DRAM被看做存储桥梁，2014使用范围较窄。它仿效普通硬盘的研制、可被超级多os的公函系统器具持续卷设局和管理人员，并供应工业标准的PCI和FC接口用在连接显示器或用服务器。

使用类型可目前有两种intel ssd硬盘和intel ssd 硬盘阵列两类。他是一个高性能的存储器，且依仗时间很长，美中不足的是需要用到个体电源来爱护依据快速。

。SATA是一个硬盘依据借口的正规。

实施串行总线的研制更替有效用的的并行ata别的技术，SATA享有较低的能耗和相对比较多的传输迅速（SATA 1.0 150mb/s)除此之外，只需要7根排线。SDD和SATA间的干系是：SDD硬盘可以依仗SATA被看做硬盘接口，也可以依仗SCSI或用种种接口。

2. 问：ssd 接口固态硬盘as ssd 接口得分常规吗？
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如果是好的的说有艰难问题。AHCI未开启或4K未对齐。

2、整个数量中，极快数量，左上角的数量，上图是497，这样是持续爬的高兴。

只要这样数量过度270，进而使是固态硬盘收到SATA2接口了。大概，128上面几个方法的固态硬盘，这样数量知道最起码400。3、底下的分数，主应该爬高兴，4K只要过度10M，那那就是盘或动能有艰难问题，64K－64K，只要只有100M，也往常是拥有艰难问题的。

4、总分，金士顿V300级全部，大概是4、500分后。用marvell主控的，大概在900分上面几个方法。

但这样分数并不是最重点，最重点以上的分项高兴。

讲解高兴不重要，重点是爬高兴。

3. 问：最终是检测ssd？检测ssd和硬盘有最终辨别？

答：信息化网络生意时代本来就信息诞生赢利的网络生意时代，其代表性象征为"电脑"，主要以信息技术为主体，重要点是发现和开发画面，而电脑的背后，是一体系精密仪器与高科技的有机联合，有些硬盘作为电脑最主要的存储设检测ssd是硬盘，可当前硬盘总的来说的量设备和固态硬盘，而固态硬盘ssd本来就固态硬盘。

固态硬盘原因存储单元非设备实施马达寻址，故而不怕摔，。此外收录迅速超过设备非常多。

4. 问：固态硬盘 ssd是怎么进行工作的意义？
答：固态硬盘 ssd：Solid State Drive是固态硬盘。

概括举荐：固态硬盘（Solid State Drive）用固态电子存储芯片阵列而可能的硬盘，由控制单元和存储单元（视频芯片、DRAM芯片）结构。固态硬盘在接口的专业和基础、功能及倚赖方法上与普通硬盘的完全也是，在出售的物品身材 和尺寸上也完全与普通硬盘相同。

被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、互联网终端、电力、医治、航空、导航配置等位置。固态硬盘的存储媒介只有两种两种，属于是凭据内存卡品牌（视频芯片）称为存储媒介，并且属于是凭据DRAM称为存储媒介。

5. 问：ssd格式化固态硬盘as ssd格式化得分差距啊吗？

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一般，128以上几点的固态硬盘，这种数字清楚也许400。3、稍后的的分数，主要是读取速度，4K假如睡觉过度10M，那则是盘或动力有之分的问题，64K－64K，假如睡觉不及100M，也往常是具备之分的问题的。4、总分，金士顿V300级全部，一般是4、500分左右。

用marvell主控的，一般在900分以上几点。但这种分数并不是最很重要的，最很重要的前面说的分项速度。说一下速度不重要，很重要的是读取速度。