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ssd工厂模式3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND)，而3D NAND，顾名思义，即是指立体结构的闪存。

如果平面闪存是平房，那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化，意味着每个存储单元的单位面积可以大幅下降。下图为三星Planar NAND 发展至 3D NAND (V-NAND) 的示意图。三星 ssd图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)左边二个是 Planar NAND，只是存储单元结构不同，由浮动栅结构 (Floating Gate) 迁移至电荷撷取闪存，即上图中的 2D CTF (Charge Trap Flash)。

然后是将 2D CTF 存储单元 3D 化变成 3D CTF 存储单元 (上图的 3D CTF)，最后通过工艺技术提升逐渐往上增加存储单元的层数（Layer ），把存储单元像盖大楼一样越做越多层。三星的 3D V-NAND 存储单元的层数 (Layer) 由 2009 年的 2-layer 逐渐提升至 24-layer、64-layer，今年已经达到 96-layer。

图片来源 : 三星V-NAND technology White Paper (Modified by Author)近几年来国际原厂先后投入 3D NAND 研发。

各家的 3D NAND 存储单元及技术都不相同，也几乎每家公司都已宣布开发出 96 层 3D NAND。

三星 ssd多层单元 (Multi-Level Cell)一般正常的存储单元，不管是 DRAM、SRAM、FLASH、ROM 等等，都只存储一个比特 (Bit) 的资料 (称为 SLC，Single-Level Cell)。为能更缩小存储单元尺寸，除了运用工艺持续做小及将存储单元 3D 化外，各厂商也积极思考增加每存储单元能存储的 bit 数目。

当一个存储单元可以存储二个 bit 时 (称为 MLC，Multi-Level Cell)，其存储单元尺寸等同于减少一半 ; 存储三个 bit (称为 TLC，Triple-Level Cell)，则尺寸等同于原有的 1/3 ; 四个 bit (称为 QLC，Quad-Level Cell)，则存储单元尺寸只剩原有的 1/4。

三星 ssdSLC 存储一个 bit 数据，也就是二个状态 (0，1) ; MLC 存储二个 bit 数据，所以是四个状态 (00，01，10，11) ; TLC 三个 bit，八个状态 (000，001，010，011，100，101，110，111) ; QLC 四个 bit，十六个状态 (0000，0001，…. 1111)，如下图所示。

图片来源 : Micron Official Website (Modified by Author)天下没有白吃的午餐，鱼与熊掌不可兼得，存储单元尺寸降低的代价是设计难度的提高以及性能的降低。

为什么会如此？又是一个简单的算数问题。假设存储单元电压是 1.8V，对 SLC 而言，一个 bit 有二个状态，平均分配 1.8V 电压，每个状态可以分到 0.9V。

对 MLC 而言，四个状态平均分配电压，每个状态可以分到 0.45V，以此类推，TLC 每个状态只可以分到 0.225V，而 QLC 更惨，每个状态只可以分到 0.1125V。

在这么小的电压下，这么多的状态以极小的电压区隔，电压区隔越小越难控制，干扰也越复杂，而这些问题都会影响 TLC 或 QLC 闪存的性能、可靠性及稳定性。三星 ssd如上图所示，越往右，存储单元相对尺寸越小，因而成本越低。但其编程/擦除周期 (Program/Erase Cycle，简称 P/E Cycle，也有人称为擦写次数) 会大幅降低，同时读、写及擦除所需的时间也会增加 (性能降低)。

擦写次数的降低为这项技术带来相当大的争议，因为擦写次数代表这闪存的寿命长短。如同上图所示，从 SLC 到 QLC，擦写次数由 10 万次降到只有1000次。

原厂采用系统设计来弥补这项缺点。通过系统控制平均分摊每一个区块的擦写次数，故障的区块也会被尚未使用的区块替换，以确保了闪存能持续运行。即使每个存储单元只有1000次擦写次数，整颗闪存仍然可以从容的应付我们日常使用的需求。当然，这样的结果使得 TLC 或 QLC 只适用于消费者个人使用 (例如 SSD)，它是无法满足 Data Center 之类的企业需求的，因为商用，例如资料处理中心 (Data Processing Center)，的存储设备，其擦写频率是相当相当高的。

三星 ssd硅穿孔技术 (TSV，Through Silicon Via)硅穿孔技术其实与 3D NAND 工艺无关，严格来说，它属于一种封装技术。会拿出来讲主要是一方面它可让 3D NAND 闪存更上层楼，容量加大好几倍。另一个原因是因为有些人把它跟 3D NAND 存储单元的 layer 层数混淆了，他们把 32、64 或 96-layer 3D NAND 描述为把 32、64 或 96 个晶粒 (Die) 堆叠在一起，这是很大的误解。

TSV 技术已普遍用于 DRAM及 Flash 产品。以往一个 IC 芯片 (Chip) 只封装一颗晶粒，渐渐地为了降低成本、节省主机板空间及提高性能，多芯片封装 (MCP，Multi-Chip Package) 开始盛行 (如下图左方图示)。TSV 则是以工艺方式将 IC 基板 (Substrate) 穿孔，填入金属，让上下晶粒直接相导通 (如下图右方图示)，不仅省去像左方图示所显示封装打线 (Bonding)，更能进一步提升 DRAM 或 Flash 单颗芯片的容量、讯号品质、传输性能，以及降低传导杂讯干扰。

三星 ssd图片来源 : 3D NAND Flash Memory - Toshiba (Modified by Author)目前各家量产的 3D NAND 芯片大多只以 TSV 堆叠到 8 或 16 层 3D NAND 晶粒 (Die)。

下表范例为东芝的 512GB (Gigabyte)/1TB (Terabyte) 闪存产品介绍，你可以清楚看到它使用 48-layer 的 3D NAND 存储工艺制造出容量为 512 Gb (Gigabit) 的闪存晶粒，再以 TSV 技术分別堆叠 8 或 16 个 die (在下表中是以 Number of Stacks 来表示堆叠数目) 来做出 512 GB (512Gb x 8) 或 1TB (512Gb x 16) 的闪存芯片。

(注 : 小写的 b 代表 bit (比特)，大写 B 代表 byte (字节)，一个 byte 等于 8 个 bits)。

图片来源 : AnandTech Post : Toshiba Weds 3D NAND and TSV所以，一个 NAND 闪存的晶粒 (die)，运用 3D NAND 技术，可以把多达 96-layer 的存储单元堆叠在一起，像盖摩天大楼一样。

而为了增加每个封装芯片 (Chip) 的容量，厂商再把8个或16个晶粒 (die) 以TSV 的技术叠在一起去封裝成芯片。三星 ssd
SSD固态硬盘相关问答知识：

1. 问：格式化ssd有哪些？

答：ssd 格式化(Solid State Disk)泛指选用NAND 动漫结构的固态盘。

对照传统的磁盘，手机内存卡品牌排行榜（视频）有固有的鲜亮，非易失性，存取效率高，抗震和低功耗。因而，它在嵌入式OS中被很大范围采纳，如USB闪盘，CF卡存储器，gps元件等。

ssd 格式化有可能彻底改变存储OS的谢谢实在是太感谢了……。手机内存卡品牌排行榜可总结两大款式，不失为是NAND 视频 ，不失为是NOR 视频。NOR 视频享有忘我的VP线和忘我的数据线，NAND 视频的信息线号，VP总是分析共同个IO总线传递。

NAND 视频的擦写比例，最大化可达到百万次，而NOR 视频:必定能擦写十几万次。NOR 视频的读速度比NAND 视频稍快相关，NAND 视频的说一下和弄速度比NOR 视频快许多。

另外NAND 视频与NOR 视频对照，本金要低相关，而体积大得多。因而，NOR 视频较为合适时常随便读写的局面。

NAND 视频剧情作为存储原料，女士们一般的手机内存卡品牌排行榜产品，如闪存盘、数码怎么查看手机内存卡品牌总是用NAND 视频。NAND 视频总结SLC-单层式保管（Single-Level Cell）和MLC-多层式保管（Multi-Level Cell）。

SLC整体存储单元安放1 bit 信息线号，该值由左右都不同的配件阈值电压来认知。

MLC 的整体存储单元安放2 bit或3 bit信息线号，可以说明4个或8个都不同的值。与SLC手机内存卡品牌排行榜对照，MLC手机内存卡品牌排行榜的价钱较低，但运转能力和岁月却干脆SLC。

SLC可以存取10万次，而MLC必定能承受约1万次的存取。因为SLC的岁月和运转能力的升高，普遍认为SLC相当合适企业级运用。因而，大概SLC用于工厂和军事范畴，MLC剧情用于生活水准电子范畴。就目前来说，，SLC的单颗粒大概为16Gb-32Gb，MLC的单颗粒为32Gb-64Gb。ssd 格式化(Solid State Disk)泛指选用NAND 动漫结构的固态盘。

ssd 格式化必须包含二手电脑接口思维来接受某些表现的物理二手电脑接口衔接(USB，FiberChannel，PCI Express，SATA)和思维磁盘仿真，正如FTL(动漫 translation layer)形式可以使ssd 格式化仿造硬盘。

二手电脑互联的带宽非常大的制约了每一样OS的运转能力，因而，它必须和动漫的运转能力相匹配。沿着一般性信息线号路径有未处理的和现已处理的请求，产品的缓冲操作放置这些个请求。

复用器可以发布信息，另外处理动漫的串行接口的数据传输。复用器也可以包含附加的思维，像信息和信息线号的缓冲。处理器作为处理请求流和操作思维块VP到动漫上物理地点的映像。

处理器，缓冲操作和复用器普遍在像ASIC、FPGA的分离电路上获取，另外信息线号在这些个思维配套设施之间的转化是相当快的。处理器与涉及的RAM是可以装成的。

2. 问：ssd装系统硬盘的优缺点？

答：固态硬盘加装ssd（Solid State Disk或Solid State Drive），也视为电子硬盘或固态电子盘，都是由控制单元和固态存储单元（DRAM或Flash芯片）结构的硬盘。加装ssd泛指倚赖华为nova3兼容的内存卡品牌芯片结构的加装ssd固态硬盘，是倚赖Flash华为nova3兼容的内存卡品牌颗粒称为存储单元，不会再倚赖普通的机器存储办法，倚赖仿造的方法虚拟出普通硬盘存取方法和扇区等，也可速度的分析固态硬盘就是一些依照硬盘接口（SATA/ATA等）的“大U盘”，个性有型的是有木有机器构建，实施普通的NAND 视频十分出色的性能，以区块聊一聊和抹除的方法来作读写的的成果，因而在读写的作用上，格外依赖华为nova3兼容的内存卡品牌别的技术的成长，与普通机械式硬盘相较，有低耗电、耐震、流畅性高、耐低温等短处。

按照华为nova3兼容的内存卡品牌的固态硬盘按照华为nova3兼容的内存卡品牌的固态硬盘（IDE Flash DISK、Serial ATA 视频 Disk）：依照Flash芯片称为存储途径，这也各位普通情况下所指的加装ssd。他的外部一定可以被制作成各种各样模样，比如：杂志硬盘、微硬盘、内存卡 品牌、订制u盘厂家等样式。这一类加装ssd固态硬盘最高的短处就是一定可以gps，之外依据保养不受电源不要加大，能适应于三四种环境，无奈倚赖年限不是很高，适合于极特殊的一些好友倚赖。

按照DRAM的固态硬盘按照DRAM的固态硬盘：依照DRAM称为存储途径，就目前来说，使用区域较窄。它仿效普通硬盘的打造、可被非常多os的内容系统代码进行卷设局和管理人员，并赋予工业标准的PCI和FC接口安全起见还是用在连合二手电脑或服务器。使用方法可那些加装ssd硬盘和加装ssd硬盘阵列两种类型。这是一款高性能的存储器，之外倚赖生辰很长，美中不足的是晓得专门电源来保养依据靠谱。

固态硬盘加装ssd的短处1.SSD固态硬盘比齐全1.8英寸硬盘重量小20-30克，一定可以品质应最好还是用在杂志PC、手机定位仪等街头gps货物上。2.经久耐用、防震抗摔。

只因为完全采用了华为nova3兼容的内存卡品牌芯片，因而加装ssd固态硬盘即使在高效gps甚至伴随翻转倾斜的当前也不容易坏处到一般倚赖，之外在杂志PC发生哇塞掉落或与硬物追尾时一定将依据错失的几率降到最不见效。

3.SSD固态硬盘做事噪音值为0分贝。具迥异机器产品及华为nova3兼容的内存卡品牌芯片不是很大的发热量小、散热快等优点。

4.依据存取效率高。美国微软领先的osxp Vista支撑一款名为ReadyBoost的别的技术……此项别的技术能依据华为nova3兼容的内存卡品牌减少常用软件从较慢的机器硬盘中调用的概率，把收录延误减至最低。此项别的技术能够说就是为加装ssd筹划准备的。加装ssd固态硬盘的不足高出1.很高的价格阻碍了加装ssd固态硬盘的大众化，的费用高于同容量的机器硬盘几倍甚至几十倍。

2.SSD固态硬盘的容量不是很大，和就目前来说，动辄500GB甚到上TB的硬盘，而加装ssd固态硬盘最远容量偏小。3.流失终端设备的支撑也加装ssd固态硬盘所面临的另一大问题。科学在进步，别的技术在成长，因为晶圆厂与制程别的技术的提高，我们相信，纵使就目前来说，固态硬盘还受着资金、容量等情况的制约，无奈因为Vistaos的大众化，加装ssd固态硬盘的大小不断打怪升级以及成长极快将更多提升，加装ssd固态硬盘必将战胜普通机器硬盘。

3. 问：最终是ssd 机械硬盘？ssd 机械硬盘和硬盘有最终分辨？

答：信息化互联网年代则是事产生收获的互联网年代，其代表性象征为"游戏电脑"，主要以信息技术为主体，亮点是开发和开垦事请，而游戏电脑的背后，是附加精密仪器与自动化的有机组合，那些硬盘称作游戏电脑主要的存储设ssd 机械硬盘是硬盘，不仅而今硬盘差不多分成器械和固态硬盘，而加ssd则是固态硬盘。固态硬盘只因存储单元非器械按照马达寻址，因此不怕摔，。

同时抓取简单过度器械太多的。

4. 问：ssd 固态强不强理论？
答：ssd 固态：Solid State Drive是固态硬盘。准确推荐：固态硬盘（Solid State Drive）用固态电子存储芯片阵列而变得的硬盘，由控制单元和存储单元（Flash芯片、DRAM芯片）部分。

固态硬盘在接口的专业和解释、功能及操作方法上与大多数硬盘的不一样也，在出售的物品身格和款式上也不一样与大多数硬盘普遍。被大面积应用于军事、车载、工控、视频监控、网络监控、互联网最后、电力、医界权威、航空、导航医疗设施等范围。

固态硬盘的存储地方解析2个，一款是根据什么品牌内存卡质量好（Flash芯片）被当做存储地方，其次一款是根据DRAM被当做存储地方。

5. 问：加装ssd固态硬盘as 加装ssd得分平时吗？
答：有几处要注意：1、左上角，有两行纯天然的字。

份写的是AHCI已遵循，随机组合写的是4K已对齐。这一个需要是纯天然的，汉化版则是这两块地方的事情，很直观。英文版，会写着OK，是纯天然。

如果是银红色的说有的对待上面。AHCI未开启或4K未对齐。

2、各家数字中，最后期限数字，左上角的数字，上图是497，这款是隔三差五存储的轻松。假如这款数字不及270，很可能是固态硬盘接到SATA2接口了。一般来说，128以上几点的固态硬盘，这款数字需要至少400。

3、现在分享的分数，主需要存储轻松，4K假如不及10M，那则是盘或动力有的对待上面，64K－64K，假如不足100M，也一般是有的对待上面的。

4、总分，金士顿V300级所有的，一般来说是4、500分前后。

用marvell主控的，一般来说在900分以上几点。但这款分数却非最很重要的，最很重要的这两块地方的分项轻松。讲解轻松不重要，很重要的是存储轻松。